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- 저자 : 신용현(Y.H. Sin) (검색결과 2 건)
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문영희(Y.H. Mun),배인호(I.H. Bae),김말문(M.M.Kim),한병국(B.K. Han),김창수(C.S. Kim),홍승수(S.S. Hong),신용현(Y.H. Sin),정광화(K.H. Chung) 한국진공학회(ASCT) 1996 Applied Science and Convergence Technology Vol.5 No.3
(100) Si 웨이퍼에 고농도의 As이온을 주입한 후 여러가지 열적 어닐링 처리를 하였을 때 이온 주입층 내부에 나타나는 격자변형층(strained layer)과 깊이 방향의 변형률 분포(strain depth distribution)를 X-ray 로킹 커브 측정과 로킹커브 시뮬레이션(simulation)을 통하여 살펴 보았다. 어닐링 처리전의 비정질/결정질층 계변인 약 1400Å 깊이에서 일정한 두께의 결함층이 형성되어 있다는 것을 알 수가 있었다. 그리고 As 농도분포 및 총 결함 분포(net defect distribution)를 각각 SIMS와 TRIM code를 이용하여 구하였다. 600℃ 열처리한 시료에서 로킹커브 분석에 의해 나타난 positive 변형은 오직 0.14 ㎛ 하단에서 나타나고 있었다. 이것은 본 실험의 이온주입 조건에서 생성되는 비정질 층의 두께가 0.14 ㎛ 임을 간접적으로 보여주고 있는 것이며, TRIM-Code로부터 분석된 결과와 잘 일치하고 있었다. 또한 로킹커브의 분석에 의해 나타나는 positive 변형의 원인은 이온 주업에 의해 형성된 비정질/단결정 계면(amorphous/crystalline interface) 하단의 잉여 interstitial에 의한 영향이라 판단된다. Strained layers and strain depth profile of high dose As ion implanted (100) Si wafer annealed at various temperatures have been investigated by means of X-ray double crystal diffractometry (X-ray DCD). The results obtained by x-ray rocking curve analysis showed a defect layer at the original amorphous/ crystalline interface of 1400Å depth. In addition arsenic ion concentration profiles and defect distributions in depth were obtained by the SIMS and TRIM-code simulation. The positive strain depth profile determined from the rocking curve analysis were only presented under 0.14 ㎛ from the surface for samples annealed at 600℃. The result was shown that the thickness of amorphous layer is 0.14 ㎛ indirectry, and it was good agreement with the TRIM-Code simulation. Additionally, it could be thought that the positive strain have been affected residual interstitial atoms under the amorphous/crystalline interface formed by ion implantation.
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Al 2024를 이용한 Conflat Flange Gasket의 특성
이철로(C. R. Lee),박재홍(J. H. Park),홍승수(S. S. Hong),임재영(J. Y. Leem),신용현(Y. H. Sin),정광화(G. H. Chung) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.2
Al 2024-T4와 이것을 annealing한 Al 2024로써 2가지의 gasket을 제조하여, 이들을 XHV chamber에 이용하므로써 2×10¹²torr에 도달하였다. 그리하여 이 gasket들의 baking 전후 microstructure, 경도, 응력집중 등의 변화를 조사하였다. Al 2024-T4의 경우에는 edge 높이(H) 감소 및 edge angle(α) 증가 등과 같은 knife edge damage가 존재하나, Al 2024의 경우에는 전혀 damage가 없어서 완전한 capture seal을 할 수 있으리라 사료된다. Two gaskets of Al 2024-T4 and annealed Al 2024-T4 were made. We had acquired 2×10¹²torr in a chamber using them. Microstructures, hardness and stress concentration of the gaskets were examined before and after baking. Knife edge damages such as decrease of edge height(H) and increase of edge angle(α) were found on knife edges when the Al 2024-T4 gasket was used. But no damage was found with the annealed Al 2024 gasket.
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