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      • MOS트랜지스터 모델 파라미터 연구

        려지환 대구대학교 정보통신연구소 2009 情報通信硏究 Vol.6 No.1

        MOS 트랜지스터의 등가회로모델 파라미터 의 예측방법이 MOS 트랜지스의 반전층내의 유동전하량 계산과 전하유도 특성에 의해 제안되었다. 이 파라미터는 MOS 트랜지스터의 RF대역의 차단주파수를 결정하고 또한 입력과 출력을 커플링 시키는 중요한 파라미터이다. 이 제안된 방법은 등가회로 모델에서 파라미터 값을 예측하고 파라미터 값을 추출하는데 기여할 것이다. The prediction method of the parameter of CMOS transistor is proposed by calculating the mobil charge in inversion layer of CMOS transistor. This parameter decided on the cutoff frequency in MOS transistor in RF range and coupled input and output. This parameter in RF range is very important parameter in small signal circuit model. This proposed method is contributed to developing software of extracting parameter value in equivalent circuit model. The method provide the important information to construct a RF nonlinear model for multifinger gate MOSFET. This method will be very valuable to develop a large signal MOSFET model for nonlinear RF IC design.

      • 카오스신호 동기화

        려지환 대구대학교 정보통신연구소 2010 情報通信硏究 Vol.7 No.1

        본 논문에서는 복잡한 카오스 신호를 발생시키는 하이퍼 카오스 VP 사상(HVPM, Hyper chaos Volume Preserving Maps)과 이들간의 카오스 동기화를 제안한다. 단계별 모듈러(modulus) 함수를 이용하여 랜덤한 카오스 신호를 발생시키기 위하여 이산시간(discrete-time) HVPM 모델을 설정하고, 수치해석 실험으로 아날로그 카오틱시퀀스(CAS. chaotic analog sequence)의 특징을 분석한다. 그리고 HVPM의 신호를 기존의 단순한 PC(Pecora, Carroll)방법을 응용한 치환동기화(synchronous substitution)를 이용하여 구동 및 응답시스템 간의 카오스 동기화(chaos synchronization) 제어를 한다. 수치실험에서 카오스 신호가 갖는 특징들을 확인할 수 있었으며, 치환동기시스템에서 효과적인 카오스 동기화가 수행됨을 증명할 수 있었다. In this paper, it proposed the chaos synchronization and the HVPM which generates complicated chaos signal for application to secret code system and PN(pseudo-noise) sequence which modified a numerical formula to show chaos phenomemon. To generate random chaos signal, we set up discrete-time HVPM model and analyze the analog chaotic sequence using numerical analysis experiment.

      • 광센서 검출 동작 연구

        려지환 대구대학교 정보통신연구소 2011 情報通信硏究 Vol.8 No.1

        본 논문은 애벌런쉬 광검출기 RAPD와 APD의 축적모드에서 광신호 센싱동작에 관한 논문이다. 이는 최근 브레난 연구 결과인 광검출소자의 역방향 회복률는 RAPD에서 초기에 역방향 회복율은 급격히 감소하다가 서서히 감소한다 그러나 APD에서 역방향 회복률은 전체적으로 서서히 감소함을 나타낸 것이다. 이 현상을 해석한 것으로 본 논문에서 이것은 드리프영역이 급속히 캐리어를 증배영역으로 이동시킴으로 전하들이 축적되므로 나타나는 현상으로 해석하고 또한 APD에서는 캐리어들이 천천히 이동하여 축적되므로 나타나는 현상으로 해석했다. 따라서 이를 종합하면 미약한 광신호의 센싱한계를 예측할 수 있으리라 생각된다. This paper has described to operation of RAPD and APD. I have analyzed newly the Brennan result. The Brennan result shows the reverse recovery of RAPD and APD. At beginning, the reverse recovery rate of RAPD drops in rapidly and slowly decreased. But the reverse recovery rate of APD decreased very slowly. Because in the RAPD, this drift region allows the carriers to move rapidly to multiplication region and charge are stored. But in the APD , the carriers move slowly and charge is stored slowly. As the result we will predict the boundary of the weak light signal.

      • 논리게이트의 기판 역바이어스 효과

        려지환 대구대학교 정보통신연구소 2012 情報通信硏究 Vol.9 No.1

        본 논문은 CMOS 인버트의 기판 역바이어스 대한 효과를 기술했다. 기판에 역 바이어스가 인가되면 MOS트랜지스터의 문턱 전압이 증가 하며 드레인 전류는 감소한다. 기판 역바어스는 서브문턱 누설방지 , 기생접합 용량 감소, 래치업 현상 방지, 기생트랜지스터 방지 등의 장점으로 많이 이용되고 있다. 따라서 CMOS 인버터 게이트의 기판 역바이어스의 효과에 대해 기술했다. This paper describes the effect of substrate back bias of CMOS inverter. When the substrate back bias applied in body, the MOS transistor threshold voltage increased and drain saturation current decreased. The back gate reverse bias or substrate bias has been widely utilized and the following advantage has suppressing subthreshold leakage, lowering parasitic junction capacitance, preventing latch up or parasitic bipolar transistor,etc. When the reverse voltage applied substrate, this paper simulated the propagation delay time CMOS inverter.

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