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김쌍조(Ssang-Jo Kim),김정규(Jung-Gyu Kim),김상필(Sang-Phil Kim),이근형(Geun-Hyoung Lee) 동의대학교 정보통신연구소 2004 정보통신연구지 Vol.5 No.-
어닐링 처리에 따른 사파이어 기판의 표면형상 거동을 관찰함으로서 원자수준의 표면 평탄도를 갖는 최적의 어닐링 조건을 찾고자 하였다. 시판되는 사파이어 기판의 표면평탄 도는 4nm 였다. 열처리온도 700℃에서 상업용 사파이어보다 개선된 표면평탄도를 갖는 원 자크기 수준의 스템이 형성되기 시작하였고, 800℃에서 스텝선이 관찰되었으며 1000℃ 이 상에서 스탭선은 직선의 형상이었다. 1000℃이상의 열처리로부터 표면평탄도는 4nm 에서 0.21nm 로 개선되어 약 20 배 정도의 개선효과를 나타내었다. l000℃ 에서 열처리 시간에 따른 표면형상을 관찰한 결과 30분이상 열처리하였을 경우 직선의 스텝선을 나타내는 평탄 한 표연이 형성되었다.
김일수,김상필,김쌍조,이종욱 동의대학교 정보통신연구소 2002 정보통신연구지 Vol.3-1 No.-
본 연구에서는 열증착법을 이용하여 최근 광디바이스로 응용 가능한 나노핀 구조를 갖는 새로운 ZnO 입자를 제조하고자 하였다. Zn의 열증착시 전류의 양을 조절하여 구형의 Zn 입자를 형성한후, 공기중ㆍ대기압 분위기의 전기로에서 산화시켜, 표면이 나노핀 구조의 ZnO 나노 와이어들로 구성된 ZnO 입자를 제조하였다. SEM과 AES를 이용하여 분석한 결과, ZnO의 입자 크기는 20~50㎛ 였으며, 입자 표면 원자비가 1:1인 고품질의 ZnO 입자로 확인 되었다.
용융산화법을 이용한 ZnO 나노와이어 생성에 미치는 합금원소의 영향
김상필(Sng-phil Kim),김쌍조(Ssang-Jo Kim),박중진(Jung-Jin Park),이근형(Geun-Hyoung Lee) 동의대학교 정보통신연구소 2002 정보통신연구지 Vol.3-1 No.-
용융산화법을 이용하여 Al-Zn-Mg 합금을 공기중 대기압하에서 산화시켜 합금 표면에 ZnO 나노와이어를 생성시키는데 성공하였다. Al-10wt% Zn 합금에 Mg 첨가량을 0,1,3,5wt% 로 변화시켜 제작한 Al-Zn-Mg 합금들을 사용하여 실험을 행하였다. Mg을 첨가하지 않은 합금의 경우에는 ZnO 나노와이어가 생성되지 않았으나 Mg을 첨가한 경우에는 첨가량에 관계없이 Zno 나노와이어가 생성되었다. 이로부터 Mg 이 ZnO 나노와이어 생성에 영향을 미치는 중요한 원소임을 알 수 있었다. Mg이 우선적으로 합금 표면에 산화물층을 형성하여 합금 표연의 산화피막을 제거함으로써 표면 산화층에 ZnO가 증발될 수 있는 채 널을 형성하여 Zno 나노와이어가 생성되었다고 추론된다.