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RF용 MOSFET를 위한 BSIM3v3 모델의 I-V 파라메터 최적화
심용석,강학진,양진모 대구대학교 정보통신연구소 2003 情報通信硏究 Vol.1 No.2
본 논문에서는 고주파 영역에서 정확한 동작을 예측하는 MOSFET 모델에서 핵심 역할을 하고 있는 BSIM3v3 모델의 정확한 대신호 전류-전압 특성을 위한 직류 모델 파라미터의 최적화 방법을 제안하였다. BSIM3v3의 직류 모델 파라미터는 변화가 허용되는 범위 내에서 측정된 직류 전류-전압 곡선과의 일치로 추출하였다. 또한 MOSFET의 다양한 크기에서 파라미터의 최적화를 수행하여 그 평균값을 취함으로써, 트랜지스터의 크기에 무관한 파라미터를 추출하였다. This paper proposes a DC parameter optimization method that finds the most appropriate DC paramtcr set of BSIM3v3 model accurately represent DC I-V characteristics of MOSFET devices in the giga frequency ranges. The DC I-V characteristics of BSIM3v3 model was varied by changing the DC parameter set (XL, XW, TOX, RSH, DELVTO) in order to fit the measured DC characteristics of various sized RF MOSFETs. The value of the DC parameter set was obtained by averaging the result of optimized values for various sized MOSFETs.