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      • Ag 가 첨가된 비정질 유리반도체 As_2S_3의 물리적 특성

        이종록,桂善姬 梨花女子大學校 韓國生活科學硏究院 1987 韓國生活科學硏究院 論叢 Vol.40 No.-

        비정질 유리 반도체 As_2S_3에 Ag를 0, 5.7, 9.1, 12. at%로 첨가하여 thermal evaporation방법으로 박막 시료를 만들어 직류 전기 전도도, 광 흡수도를 측정하였다. X선 회절 실험 결과 각 시료는 비정질임이 확인되었다. 273K에서 373K 온도 영역에서의 직류전기 전도도는 7.04x10^-17(Ω^-1cm^-1)에서 8.66x10^-12(Ω^-1cm^-1_의 값을 나타내며 Ag의 농도가 증가함에 따라 직류 전기 전도도는 증가하였다. 직류 전기 전도도는 σ=σ_0exp(-ΔE_α/KT)의 관계식을 만족하고 광학적 에너지 gap은 Ag의 농도가 증가함에 따라 2.34, 2.12, 1.89, 1.78eV로 감소하였다. E_-ΔE_α의 값은 Ag의 농도에 관계없이 거의 일정하였다. D.C. electrical conductivity, optical absorption experiments on glassy semiconductor As_2S_3+Ag for which the Ag concentration is 0, 5.7, 9.1, 12.3 at. % are investigated. The thin film samples are prepared by the thermal evaporation method. From the result of X-ray diffraction experiment, it was convinced that each sample was amorphous semiconductor. Over the temperature range from 273˚K to 373˚K, the d.c. conductivity of the investigated samples is 8.66x10^-12(Ω^-1cm^-1)∼7.04c10^-17(Ω^-1cm^-1). As Ag concentration increases, the electrical d.c. conductivity increases. D.C. conductivities are proportional to inverse of temperature and satisfy the relation σ=σ_0exp(-ΔE_α/KT). The optical energy gap decreases with the Ag concentration having the value of the range from 2.34eV to 1.79eV. It is also shown that the value of difference E_g-ΔE_α is independent of Ag concentration.

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