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- 저자 : 박중진(Joong Jin Park) (검색결과 7 건)
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PEALD 법에 의한 TiO₂박막의 상형성 및 전기적 특성
박중진(Park Joong-Jin),유국협(Liu Guo-Xia),김광호(Kim Kwang-Ho),이원재(Lee Won-Jae) 동의대학교 정보통신연구소 2004 정보통신연구지 Vol.5 No.-
플라즈마를 이용한 원자층 증착법 (PEALD) 으로 TDMA T 와 산소 플라즈마를 사용하여 균일하고 등방성한 TiO₂박막을 제조하였다. Cycle 당 증착율은 0.36 A 으로 공정 cycle 의 증가에 상관없이 일정하게 나타났으며, 표면 자기제어 반응에 의해 우수한 step coverage 특성 올 얻을 수 있었다. 적절한 유전성과 좋은 누설전류 특성을 연구하기 위해 PEALD 법으로 증착한 박막을 급속열처리 하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 TiO₂박막의 누설전류 특성은 향상되었고, 반면에 유전율은 약간 감소하는 것으로 나타났다 . 결론적으로 PEALD 법으로 제조된 TiO₂박막은 다양한 온도에서의 열처리를 통해 우수한 전기적 특성을 가진 유전체 박막임올 알 수 있었다.
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CIGSe<sub>2</sub> 박막태양전지용 Mo 하부전극의 물리·전기적 특성 연구
최승훈,박중진,윤정오,홍영호,김인수,Choi, Seung-Hoon,Park, Joong-Jin,Yun, Jeong-Oh,Hong, Young-Ho,Kim, In-Soo 한국진공학회 2012 Applied Science and Convergence Technology Vol.21 No.3
CIGS 박막 태양전지 기판소재인 소다라임유리 표면에 플라즈마 전처리 후 DC 마그네트론 스퍼터링 방법으로 Mo 박막을 제조하였다. 증착압력과 증착시간 변화에 따른 Mo 박막의 물리적, 전기적 특성을 분석하였고, 셀렌화 처리 조건에 따른 $MoSe_2$ 생성 여부와 경향성을 연구하였으며, Mo 박막 두께에 따른 AZO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG 구조의 태양전지를 제조하여 그 특성을 분석 및 평가하였다. 증착압력이 4.9 mTorr에서 1.3 mTorr로 감소할수록 치밀하고 결정입자 사이의 공극이 적고, 증착속도가 감소하고 전기저항도가 낮은 Mo 박막이 증착되었다. 증착온도가 상온에서 $200^{\circ}C$로 증가할수록 Mo 박막은 치밀한 구조를 가지고 결정성은 향상되어 면저항이 낮게 나타났다. 셀렌화 시간이 길어질수록 Mo 박막 층은 줄어들고, $MoSe_2$ 층 생성두께가 커지는 것을 알 수 있었고, 열처리로 인해 결정화 되면서 전체 박막의 두께가 줄어들었으며, $MoSe_2$ 층의 배양성은 c축이 Mo 표면과 수직 방향으로 성장된 것을 알 수 있었다. Mo 박막의 두께가 1.2 ${\mu}m$와 0.6 ${\mu}m$인 AZO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG 구조로 이루어진 CIGS 박막 태양전지를 제조하였다. Mo 박막의 두께가 1.2 ${\mu}m$일 때 보다 0.6 ${\mu}m$일 때 CIGS 박막 태양전지의 변환 효율은 9.46%로 비교적 우수한 특성을 나타났다. CIGS 박막 태양전지에서 하부전극인 Mo 박막 특성은 유리기판 및 광흡수 층과의 계면 형성 따라 큰 영향을 미친다는 것을 알 수 있었고, 유리기판의 플라즈마 처리와 Mo 박막의 두께조절로 Na 효과 및 $MoSe_2$층 형성 제어함으로써 CIGS 박막 태양전지의 특성 개선에 효과를 가질 수 있었다. In this Study, Mo back electrode were deposited as the functions of various working pressure, deposition time and plasma per-treatment on sodalime glass (SLG) for application to CIGS thin film solar cell using by DC sputtering method, and were analyzed Mo change to $MoSe_2$ layer through selenization processes. And finally Mo back electrode characteristics were evaluated as application to CIGS device after Al/AZO/ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG fabrication. Mo films fabricated as a function of the working pressure from 1.3 to 4.9mTorr are that physical thickness changed to increase from 1.24 to 1.27 ${\mu}m$ and electrical characteristics of sheet resistance changed to increase from 0.195 to 0.242 ${\Omega}/sq$ as according to the higher working pressure. We could find out that Mo film have more dense in lower working pressure because positive Ar ions have higher energy in lower pressure when ions impact to Mo target, and have dominated (100) columnar structure without working pressure. Also Mo films fabricated as a function of the deposition time are that physical thickness changed to increase from 0.15 to 1.24 ${\mu}m$ and electrical characteristics of sheet resistance changed to decrease from 2.75 to 0.195 ${\Omega}/sq$ as according to the increasing of deposition time. This is reasonable because more thick metal film have better electrical characteristics. We investigated Mo change to $MoSe_2$ layer through selenization processes after Se/Mo/SLG fabrication as a function of the selenization time from 5 to 40 minutes. $MoSe_2$ thickness were changed to increase as according to the increasing of selenization time. We could find out that we have to control $MoSe_2$ thickness to get ohmic contact characteristics as controlling of proper selenization time. And we fabricated and evaluated CIGS thin film solar cell device as Al/AZO/ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG structures depend on Mo thickness 1.2 ${\mu}m$ and 0.6 ${\mu}m$. The efficiency of CIGS device with 0.6 ${\mu}m$ Mo thickness is batter as 9.46% because Na ion of SLG can move to CIGS layer more faster through thin Mo layer. The adhesion characteristics of Mo back electrode on SLG were improved better as plasma pre-treatment on SLG substrate before Mo deposition. And we could expect better efficiency of CIGS thin film solar cell as controlling of Mo thickness and $MoSe_2$ thickness depend on Na effect and selenization time.
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DC 마그네트론 스퍼터링법에 의한 대면적 투명전도성 ZnO(Al)와 ZnO(AlGa) 박막제조 및 물리적 특성 연구
손영호,최승훈,박중진,정명효,허영준,김인수,Son, Young Ho,Choi, Seung Hoon,Park, Joong Jin,Jung, Myoung Hyo,Hur, Youngjune,Kim, In Soo 한국진공학회 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.3
In-line magnetron sputtering system을 사용하여 대면적($60{\times}60cm^2$) 소다라임 유리기판위에 투명전도성 ZnO(Al)와 ZnO(AlGa) 박막을 500 nm에서 1,450 nm까지 두께별로 증착하여 전기적, 광학적 특성을 연구하였다. XRD를 통해 c-축 방향성(002)을 가지고 성장된 것을 확인 하였다. Hall 특성 분석을 통해 이동도 및 캐리어 농도의 특성을 확인 하였으며, 그에 따른 ZnO(AlGa)의 비저항이 $9.03{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$에서 $7.83{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$으로 ZnO(Al) 보다 높게 나타났으며, 가시광선 영역에서 투과율은 87.6%에서 84.3%으로 나타났다. 따라서 ZnO(AlGa)는 전기적 특성이 우수하고 높은 투과율로 대면적용 투명전도성 재료로의 활용에 적합한 특성을 지닌 것을 확인 할 수 있었다. In this study, we studied the properties of ZnO(Al) and ZnO(AlGa) thin film according to film thickness deposited on SLG by In-line magnetron sputtering system. XRD, FESEM, 4-point probe, Hall measurement system and UV/Vis-NIR spectrophotometer were employed to analyze the properties of ZnO(Al) and ZnO(AlGa) thin film. The all films exhibited (002) preferential orientation with clear peak shape and high intensity. The carrier concentration and Hall mobility of ZnO(Al) and ZnO(AlGa) thin film were improved with increasing thickness. The resistivity of both films decreased when the film thickness was raised from 500 nm to 1,450 nm. And then relatively the resistivity of ZnO(AlGa) film was lower than that of ZnO(Al) film. The transmittance of the films decreased with increasing film thickness but all films exhibited optical transmittances of over 83.3% in the visible region.
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CIGSe₂ 박막태양전지용 Mo 하부전극의 물리ㆍ전기적 특성 연구
최승훈(Seung-Hoon Choi),박중진(Joong Jin Park),윤정오(Jeong Oh Yun),홍영호(Young Ho Hong),김인수(In Soo Kim) 한국진공학회(ASCT) 2012 Applied Science and Convergence Technology Vol.21 No.3
CIGS 박막 태양전지 기판소재인 소다라임유리 표면에 플라즈마 전처리 후 DC 마그네트론 스퍼터링 방법으로 Mo 박막을 제조하였다. 증착압력과 증착시간 변화에 따른 Mo 박막의 물리적, 전기적 특성을 분석하였고, 셀렌화 처리 조건에 따른 MoSe₂ 생성 여부와 경향성을 연구하였으며, Mo 박막 두께에 따른 AZO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG 구조의 태양전지를 제조하여 그 특성을 분석 및 평가하였다. 증착압력이 4.9 mTorr에서 1.3 mTorr로 감소할수록 치밀하고 결정입자 사이의 공극이 적고, 증착속도가 감소하고 전기저항도가 낮은 Mo 박막이 증착되었다. 증착온도가 상온에서 200oC로 증가할수록 Mo 박막은 치밀한 구조를 가지고 결정성은 향상되어 면저항이 낮게 나타났다. 셀렌화 시간이 길어질수록 Mo 박막 층은 줄어들고, MoSe₂ 층 생성두께가 커지는 것을 알 수 있었고, 열처리로 인해 결정화 되면서 전체 박막의 두께가 줄어들었으며, MoSe₂ 층의 배양성은 c축이 Mo 표면과 수직 방향으로 성장된 것을 알 수 있었다. Mo 박막의 두께가 1.2 ㎛와 0.6 ㎛인 AZO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG 구조로 이루어진 CIGS 박막 태양전지를 제조하였다. Mo 박막의 두께가 1.2 ㎛일 때 보다 0.6 ㎛일 때 CIGS 박막태양전지의 변환 효율은 9.46%로 비교적 우수한 특성을 나타났다. CIGS 박막 태양전지에서 하부전극인 Mo 박막 특성은 유리기판 및 광흡수 층과의 계면 형성 따라 큰 영향을 미친다는 것을 알 수 있었고, 유리기판의 플라즈마 처리와 Mo 박막의 두께 조절로 Na 효과 및 MoSe₂층 형성 제어함으로써 CIGS 박막 태양전지의 특성 개선에 효과를 가질 수 있었다. In this Study, Mo back electrode were deposited as the functions of various working pressure, deposition time and plasma per-treatment on sodalime glass (SLG) for application to CIGS thin film solar cell using by DC sputtering method, and were analyzed Mo change to MoSe₂ layer through selenization processes. And finally Mo back electrode characteristics were evaluated as application to CIGS device after Al/AZO/ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG fabrication. Mo films fabricated as a function of the working pressure from 1.3 to 4.9mTorr are that physical thickness changed to increase from 1.24 to 1.27 ㎛ and electrical characteristics of sheet resistance changed to increase from 0.195 to 0.242 Ω/sq as according to the higher working pressure. We could find out that Mo film have more dense in lower working pressure because positive Ar ions have higher energy in lower pressure when ions impact to Mo target, and have dominated (100) columnar structure without working pressure. Also Mo films fabricated as a function of the deposition time are that physical thickness changed to increase from 0.15 to 1.24 ㎛ and electrical characteristics of sheet resistance changed to decrease from 2.75 to 0.195 Ω/sq as according to the increasing of deposition time. This is reasonable because more thick metal film have better electrical characteristics. We investigated Mo change to MoSe₂ layer through selenization processes after Se/Mo/SLG fabrication as a function of the selenization time from 5 to 40 minutes. MoSe₂ thickness were changed to increase as according to the increasing of selenization time. We could find out that we have to control MoSe₂ thickness to get ohmic contact characteristics as controlling of proper selenization time. And we fabricated and evaluated CIGS thin film solar cell device as Al/AZO/ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG structures depend on Mo thickness 1.2 ㎛ and 0.6 ㎛. The efficiency of CIGS device with 0.6 ㎛ Mo thickness is batter as 9.46% because Na ion of SLG can move to CIGS layer more faster through thin Mo layer. The adhesion characteristics of Mo back electrode on SLG were improved better as plasma pre-treatment on SLG substrate before Mo deposition. And we could expect better efficiency of CIGS thin film solar cell as controlling of Mo thickness and MoSe₂ thickness depend on Na effect and selenization time.
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Phase Formations and Electrical properties of Various (Bi,La)₄ Ti₃O₁₂ Thin Films by Sol-gel method
유국협(GuoXia Liu),박중진(Joong-Jin Park),김광호(Kwang-Ho Kim),이원재(Won-Jae Lee) 동의대학교 정보통신연구소 2002 정보통신연구지 Vol.3-1 No.-
The phase formation and electrical properties of various (Bi,La)₄Tb012 (BLT) thin film and V-, Sm-doped BLT thin films prepared by the chemical solution deposition method on platinized Si substrates have been investigated. It was observed that the microstructure and electrical properties of BLT thin f1lms dramatically varied with annealing temperature and V, Sm-doping. The crystallinity and grain size of BL T thin films were definitely increased by VSm-doping into BL T fIlms, which resulted in the enhancement of remanent polarization in doped BLT films. The remanent polarization (Pr) of Sm-doped BLT f1lms annealed for 3min by an RTA system was about 9μC/cm² The V- and Sm-doped BLT films also exhibited good fatigue characteristics under bipolar stressing to 1010 cycles.
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