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- 저자 : Jiang Huiping (검색결과 4 건)
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Juan Jiang,Ying Li,Huiping Shao,Yang Luo 한국자기학회 2005 韓國磁氣學會誌 Vol.15 No.2
자성재료는 각종 전자품에서 빼놓을 수 없는 중요한 소재로서 가전제품, 컴퓨터, 통신설비, 자동차 및 국방산업과 직결되어 있다. 현재 중국은 각종 자성재료의 생산량이 세계 1위이며 자성재료 생산대국과 산업중심의 역할을 하고 있다. 중국 자성재료의중, 장기 시장 발전 전망이 매우 유망한 바, 중국의 자성재료 생산품의 전세계 에서의 인식은 한층 더 올라갈 것으로 본다. 과학 기술 독창능력, 기술개조와 기업의 관리수준을 반드시 강화시키고 산업구조를 조절하고 생산품의 등급을 한 단계 상승시켜 중국을 자성재료 대국으로부터 강국으로 진입하도록 인도해야 한다는 전략은 지난 11월초 중국 상해에서 개최한 “중국 자성재료 산업 중장기 발전 전략 포럼”에서 제기된 것이다. 본문에서는 이 포럼에서 발표된 내용과 산업계의 통계자료를 바탕으로 거시적인 각도에서 중국 자성체 산업의 전체적인 현황을 분석하였고 희토류 영구자석 특히 중국의 소결과 본드 NdFeB 자석의 산업현황을 소개했고, 희토류 영구자석에 대한 중국의 연구개발 상황을 소개했으며 자성체 산업발전의 전망에 대한 예측과 분석도 수행하였다.
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Chen Bingyao,Jiang Huiping,Wang Hui,Yang Guang,Hao Xiuqing 한국독성학회 2024 Toxicological Research Vol.40 No.2
Polychlorinated biphenyls (PCBs) are bioaccumulative persistent organic pollutants with a great impact on cetaceans. To examine the content of PCBs and their risks to finless porpoises, this study determined the concentrations of seven typical PCB congeners in 56 tissue samples of East Asian finless porpoises (EAFPs) sampled in 2009–2012 from Ningbo (29.8835° N, 122.0644° E), Pingtan (25.5133° N, 119.8172° E) and Lvsi (32.1035° N, 121.6078° E). PCB138, PCB153 and PCB101 were the predominant congeners, accounting for 31.15%, 18.59% and 15.75%, respectively, of all PCBs detected. The content of PCBs increased with age in males but decreased from juveniles to adults in females due to transfer to calves by reproduction and lactation. EAFPs in Ningbo and Pingtan accumulated more PCBs than those in Lvsi Port. The trophic positions of EAFPs from Lvsi, Pingtan and Ningbo were 9.41, 8.95 and 9.43, respectively. PCB concentrations did not accumulate significantly with increasing trophic levels. The risk quotient index indicated that the risk of trichlorobiphenyl (3-PCB), tetrachlorobiphenyl (4-PCB), pentachlorobiphenyls (5-PCB), and hexachlorobiphenyls (6-PCB) to EAFPs in the East China Sea was generally low and within safe limits thus far.
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Effect of Annealing Atmosphere on the La2O3 Nanocrystallite Based Charge Trap Memory
Zhenjie Tang,Dongqiu Zhao,Huiping Hu,Rong Li,Jiang Yin 한국전기전자재료학회 2014 Transactions on Electrical and Electronic Material Vol.15 No.2
Pt/Al2O3/La2Si5Ox/SiO2/Si charge trap memory capacitors were prepared, in which the La2Si5Ox film was used as thecharge trapping layer, and the effects of post annealing atmospheres (NH3 and N2) on their memory characteristicswere investigated. La2O3 nanocrystallites, as the storage nodes, precipitated from the amorphous La2Si5Ox film duringrapid thermal annealing. The NH3 annealed memory capacitor showed higher charge storage performances thaneither the capacitor without annealing or the capacitor annealed in N2. The memory characteristics were enhancedbecause more nitrogen was incorporated at the La2Si5Ox/SiO2 interface and interfacial reaction was suppressed afterthe NH3 annealing treatment.
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Tang, Zhenjie,Zhao, Dongqiu,Hu, Huiping,Li, Rong,Yin, Jiang The Korean Institute of Electrical and Electronic 2014 Transactions on Electrical and Electronic Material Vol.15 No.2
$Pt/Al_2O_3/La_2Si_5O_x/SiO_2/Si$ charge trap memory capacitors were prepared, in which the $La_2Si_5O_x$ film was used as the charge trapping layer, and the effects of post annealing atmospheres ($NH_3$ and $N_2$) on their memory characteristics were investigated. $La_2O_3$ nanocrystallites, as the storage nodes, precipitated from the amorphous $La_2Si_5O_x$ film during rapid thermal annealing. The $NH_3$ annealed memory capacitor showed higher charge storage performances than either the capacitor without annealing or the capacitor annealed in $N_2$. The memory characteristics were enhanced because more nitrogen was incorporated at the $La_2Si_5O_x/SiO_2$ interface and interfacial reaction was suppressed after the $NH_3$ annealing treatment.
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