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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저자 : Jae-HwaPark (검색결과 1 건)
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        Effect of CF4 Addition to Cl2/Ar on the Etching of Ferroelectric YMnO3

        Jae-HwaPark,Kyoung-TaeKim,Chang-IlKim,Eui-GooChang 한국물리학회 2002 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.41 No.6

        The etching behaviors of ferroelectric YMnO$_3$ thin films in an inductively coupled plasma (ICP) were investigated in terms of the etch rate, the selectivity, and the etch profiles. The maximum etch rate of YMnO$_3$ thin films was 300 \AA/min for no CF$_4$ add to the Cl$_2$/Ar gas plasma, an RF power of 800 W, a dc bias voltage of $-$200 V, a chamber pressure of 15 mTorr, and a substrate temperature of 30 $^\circ$C. The selectivities of YMnO$_3$ for SiO$_2$ and Pt were 0.5 and 0.3, respectively. The etch profile of the YMnO$_3$ film etched in a CF$_4$/Cl$_2$/Ar plasma was about 80$^\circ$. The result of optical emission spectroscopy (OES) showed that the addition of CF$_4$ gas to the Cl$_2$/Ar plasma increased the number of Cl radicals. However, the added CF$_4$ decreased the etch rate of the YMnO$_3$ thin films. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) showed that the YF$_x$ compounds observed on the surface of the YMnO$_3$ thin films etched in a CF$_4$/Cl$_2$/Ar plasma acted as a surface passivant that reduced the chemical reactions between Y, Mn, and Cl.

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