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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저자 : H. Uslu (검색결과 1 건)
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        Photovoltaic characteristics of Au/PVA (Bi-doped)/n-Si Schottky barrier diodes(SBDs) at various temperatures

        H.G. Çetinkaya,H. Tecimer,H. Uslu,S. Altındal 한국물리학회 2013 Current Applied Physics Vol.13 No.6

        The charge conduction properties of the Au/PVA (Bi-doped)/n-Si Schottky barrier diodes (SBDs) were investigated using currentevoltageetemperature (IeVeT) measurements in dark and under various illumination levels. For this purpose, the main diode parameters such as reverse-saturation current (Io),zero-bias barrier height (FBo), ideality factor (n), series resistance (Rs) and shunt resistance (Rsh) of diode were obtained as function of temperature and illumination level. Experimental results show that all of these electrical parameters are strong functions of illumination and temperature. The change in all electrical parameters becomes more important at low temperatures and illumination levels. While the n value decreases with increasing temperature and illumination level, FBo value increases. The fill factor (FF = Vm·Im/Voc·Isc) values were obtained as 0.34 at 80 K and 0.40 at 320 K under 50 Wand these values are near to a photodiode. Therefore, the fabricated diode can be used as a photodiode in optoelectronic applications. The forward bias IeV characteristics of the diode have also been explained by the space charge limited current (SCLC) model.

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