http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
崔成煥(Sung-Hwan Choi),李在訓(Jae-Hoon Lee),申光燮(Kwang-Sub Shin),朴重炫(Joong-Hyun Park),申熙善(Hee-Sun Shin),韓民九(Min-Koo Han) 대한전기학회 2007 전기학회논문지 Vol.56 No.1
We have investigated the hysteresis phenomenon of a hydrogenated amorphous silicon thin film transistor (a-Si:H TFT) and analyzed the effect of hysteresis phenomenon when a-Si:H TFT is a pixel element of active matrix organic light emitting diode (AMOLED). When a-Si:H TFT is addressed to different starting gate voltages, such as 10V and 5V, the measured transfer characteristics with 1㎂ at VDS = 10V shows that the gate voltage shift of 0.15V is occurred due to the different quantities of trapped charge. When the step gate-voltage in the transfer curve is decreased from 0.5V to 0.05V, the gate-voltage shift is decreased from 0.78V to 0.39V due to the change of charge de-trapping rate. The measured OLED current in the widely used 2-TFT pixel show that a gate-voltage of TFT in the previous frame can influence OLED current in the present frame by 35% due to the change of interface trap density induced by different starting gate voltages.
최성환(Sung-Hwan Choi),이재훈(Jae-Hoon Lee),신광섭(Kwang-Sub Shin),박중현(Joong-Hyun Park),신희선(Hee-Sun Shin),한민구(Min-Koo Han) 대한전기학회 2006 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2006 No.7
수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(a-Si : H TFT)의 이력 현상이 능동형 유기 발광 다이오드(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode) 디스플레이 패널을 구동할 경우에, 발생할 수 있는 잔상(Residual Image) 문제를 단위 소자 및 회로에서 실험을 통하여 규명하였다. 게이트 시작 전압을 바꾸어 VGs-ID 특성을 측정할 경우, 게이트 시작 전압이 5V에서 시작한 VGs-ID 곡선이 10V에서 시작한 VGs-ID 곡선에 비해 왼쪽으로 0.15V 이동하였다. 이러한 결과는 게이트 시작 전압의 차이에 의해 발생한 트랩된 전하량(Trapped Charge) 변화로 설명할 수 있다. 또한, 인가하는 게이트 전압 간격을 0.5V에서 0.05V로 감소시켰을 때 전하 디트래핑 비율의 변화(Charge De-trapping Rate)로 인하여, 이력 현상(Hysteres-is Phenomenon)으로 인한 단위 소자에서의 문턱전압의 변화가 0.78V에서 0.39V로 감소함을 관찰하였다. 제작된 2-TFT 1-Capacitor의 AMOLED 화소에서 (n-l)번째 프레임에서의 OLED 전류가 (n)번째 프레임에서의 OLED 전류에 35%의 전류오차를 발생시키는 것을 특정 및 분석하였다.