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음향반향제거기에서 동시통화 검출 성능 개선을 위한 보조필터 적용
김시호,배건성 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-SP (Signal processing) Vol.42 No.1
This paper deals with the problem of double-talk (DT) detection in anacoustic echo canceller (AEC). In the DT detection algorithm with correlation coefficient, detection errors occasionally occur because it is hard to set the threshold to distinguish DT from echo path change (EPC). Adaptive filter falls into the situation that it stops updating its filter coefficients when EPC is erroneously considered as DT at the starting-point of EPC. In addition, in case of echo path changing during the DT period, the end-point detection of DT period fails so that the AEC cannot update its filtercoefficients for a while even after the DT period ends. To solve these problems, in this paper, we propose a novel AEC that employs an auxiliary filter. We use the idea that though the error signal cannot be estimated using reference signal in case of DT situation but it can be in case of EPC situation. The experimental result verifies that the proposed method could solve the problems caused by DT detection error or echo path change during the DT period. 본 논문에서는 음향반향제거기에서 상관계수를 이용하여 동시통화 구간을 검출할 때 발생하는 검출 오류에 대하여 다룬다. 상관계수(correlation coefficient)를 이용한 동시통화 검출 알고리즘에서 동시통화와 반향경로의 변화를 명확하게 구분 지울 수 있는 문턱값 설정이 어렵기 때문에 때때로 검출 오류가 발생한다. 반향경로의 변화를 동시통화로 잘못 판단하면 적응필터의 탭 갱신이 멈추어져 더 이상 수렴할 수 없는 상황에 빠지기도 하고, 동시통화 중에 반향경로가 변하는 경우에는 동시통화 구간의 끝점 검출에 실패하기도 한다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 논문에서는 반향제거기에 보조필터를 적용하여 동시통화와 반향경로의 변화를 구분할 수 있는 시스템을 제안한다. 이는 기준입력신호 (reference signal)로부터 반향신호는 추정할 수 있지만 근단화자 신호는 추정할 수 없다는 점을 이용한다. 실험을 통해 제안한 시스템 및 알고리즘이 동시통화 검출 오류와 이로 인해 발생하는 문제점을 효율적으로 해결할 수 있음을 확인하였다.
비휘발성 강유전체 메모리의 기준 셀 배치 및 선택 방법의 새로운 제안
김시호 圓光大學校 基礎自然科學硏究所 1999 基礎科學硏究誌 Vol.17 No.2
비휘발성 강유전체 메모리의 동작 수명을 향상시키기 위하여 선택 되지 않는 센스 앰프(S/A)에 연결되어 있는 기준셀은 읽기/쓰기 동작 시에 기준 셀의 워드 선을 선택하지 않음으로써 기준 셀에 인가되는 사이클의 획수를 줄이도록 메모리 배열을 구성하였다. 본 논문의 배열에서는 선택된 센스 앰프에 해당하는 기준 셀에 선택 신호가 기준 셀의 워드선과 AND 논리 게이트에 입력되어 해당 센스 앰프와 기준 셀의 워드 선이 모두 선택되었을 때에만 기준 셀의 MOS 트랜지스터가 켜지게 된다. 본 발명의 강유전체 메모리 배열에서는 선택된 센스 앰프에 연결된 해당 기준 셀의 선택 트랜지스터가 on되어 기준 셀의 정보가 읽어 지므로 기준 셀에 인가되는 전압의 사이클 횟수가 감소되므로 메모리의 전체수명이 증가하게 된다. We proposed a new reference cell array and a method for selecting these cells, in order to improve the read/write cycle time of 1T1C type ferroectric non volatile memory. The reference cell are truned on when both the column select signal and reference cell word line are enabled. The reference cell select signals can be generated from the column address decoder or from the additional circuits of address transition signal generator. We need more experiment of fabrication of proposed array and reliability test to exact characterization of proposed structure of array, we will do the experiment for futher works.