상온 및 액체질소 온도에서 고속 중성자 조사된 원자로 압력 용기의 취화 현상에 관한 연구

김형배(H. B. Kim),김형상(H. S. Kim),김순구(S. K. Kim),신동훈(D. H. Shin),유연봉(Y. B. Yu),고정대(J. D. Ko) 한국자기학회 2005 韓國磁氣學會誌 Vol.15 No.2

The embrittlement of fast neutron-irradiated reactor pressure vessel (RPV) steels was investigated by X-ray diffraction patterns at room temperature and Mossbauer spectroscopy at room- and liquid nitrogen-temperature. Neutron fluence on the samples were 10¹², 10¹³, 10¹⁴, 10^(15), 10^(16), 10^(17), 10^(18) n/㎠. The X-ray diffraction patterns showed that the structure of the neutron unirradiated sample was bcc type, where as but the neutron irradiated samples with the fluence higher than 1017 n/㎠ were so severely damaged, that bcc type structure disappeared. The Mossbauer spectra of all samples showed superposition of two or more sextets. In this paper all Mossbauer spectra were fitted by three set of sextet. The isomer shift and quadrupole splitting values were found around zero. At liquid nitrogen temperature, magnetic hyperfine field and absorption area increase rapidly S1 sextet in the samples of 1017~1018 n/㎠ neutron fluences. And at room temperature, magnetic hyperfine field and absorption increased rapidly at S1 sextet in the samples of 1017~1018 n/㎠ neutron fluences. This rapid increase of magnetic hyperfine field and absorption area were inferred to be caused by the change of (56)^Fe, (55)^Mn into (57)^Fe due to by neutron irradiation.

MBE로 성장한 Sn 도프된 GaAs 의 Deep Levels

강태원,김문덕,고정대 동국대학교 자연과학연구소 1986 자연과학연구 논문집 Vol.6 No.-

MBE 방법으로 성장된 Sn-GaAs의 deep level을 personal computer로 동작되는 DLTS 장치를 이용하여 저사하였다. date acquisition을 위한 interface는 12bit A/D converter를 사용하여 제작하였으며 시료의 bias 전압 저정은 pulse generator 대신 D/A converter 를 이용하였다. 그 결과 활성화에너지가 0.79eV 이며 포획ㄷ단면적이 σ=4.4×10?cm²임을 알았다. Deep levels in Sn-doped GaAs grown by MBE were invertigated using the DLTS system in which a personal computer was adoped. The interface for the data acquisition was built by use of 12bit A/D converter and the control of bais pulse to the sample was done throuhg D/A converter instead of pulse generator. As a result we have obtained the activation enerty of the electron trap was 0.79eV, and the capture cross section was 4.4×10?cm²

MBE에 의한 Sn 도프된 GaAs epitaxial layer의 성장

강태원,고정대 동국대학교 자연과학연구소 1986 자연과학연구 논문집 Vol.6 No.-

Sn이 dope된 GaAs epi 층을 MBE장치를 이용하여 성장시켰다. Sn cell온도와 Sn농도를 조사한 결과 선형적인 관계를 얻었고 C-V depth profile과 AES 결과로부터 Sn 이 dope된 GaAs epi 층에서 이 표면으로 확산되거 있음을 확인하였다. We investigate the physical properties of doped GaAs epilayer grown by molecular beam epitaxy(MBE). From the measurements of C-V depth profile and Auger dldctron spectroscopy (AES), it was found that Sn flux depend on Sn cell temperature and Sn reveal out diffusion in the Sn doped GaAs epilayer.

금속-화합물반도체 접합에 대한 Parameter Sensitivity 분석

고정대,홍치유,최성은,정창섭 동국대학교 자연과학연구소 1986 자연과학연구 논문집 Vol.6 No.-

Cu(Ⅱ)이온과 Co(Ⅱ)및 Ni(Ⅱ)이온에 대한 선택적 안정 chelate제인 salicylaldoxim과 a-Nitroso-B-Naphthol 을 Friedel-Craft 반응에 의하여 Styrene-divinyl benzene 수지에 각각 또는 함께 부가시킨 이온교환수지를 합성하고 Cu(Ⅱ), Co(Ⅱ), Ni(Ⅱ) 및 Fe(Ⅲ) 각이온들에 대한 흡착특성을 조사하였다. Salicylaldoxim and a-Nitroso-B-Naphthol as chelate functional groups for the Cu(Ⅱ), Co(Ⅱ) and Ni(Ⅱ) ions were introduced by the Friedel-Craft reaction to the Styrene-divinybenzene bead and investigated its ion exchange capacity at variable pH.

超音波 振動子를 이용한 CVD法으로 製作된 ITO 薄膜 및 SnO_2 薄膜의 電氣一光學的 特性

金榮咸,高正大,金振璜 동국대학교 재료과학연구소 1983 材料科學硏究所 論文集 Vol.3 No.-

本 實驗은 超音波 振動子를 이용한 CVD法에 의해 ITO膜 및 SnO_2膜을 제작하고 그 電氣的 光學的 特性을 조사 비교하였다. ITO膜과 SnO_2膜은 둘 다 可視光線 全 領域에서 90% 이상의 좋은 透過度를 나타내고 있다. ITO膜은 기판온도가 500℃였을 때 面抵抗이 가장 낮았으며 SnO_2膜은 520℃였을 때 가장 낮은 面抵抗을 보였다. ITO膜은 불순물 함량비가 3wt%인 때 가장 좋은 傳導性을 가지며 比抵抗이 1.09×10^-3Ω㎝였고 mobility와 carrier concentration은 각각 56.5㎠/V·sec, 8×10^19㎝^-3였으며 SnO_2膜은 불순물 함량비가 1.5wt%인 때 가장 좋은 傳導性을 가지며 比抵抗은 1.98×10^-3Ω㎝, mobility와 carrier concentration은 각각 52.4㎠/V·sec, 6.2×10^19㎝^-3임을 알았다. Electrical and optical properties have been investigated on ITO films and SnO_2 films fablicated by CVD method using ultrasonic vibrator. ITO films and SnO_2 films had a good transmittance above 90% in the visible region. ITO films had the lowest sheet resistance at 500∼520℃. And it has lowest resistivity and the highest mobility and concentration when the ratio of Sn was 3 wt%. The value of resistivity, mobility and carrier concentration on ITO films were 1.09×10^-3Ω㎝, 5.65㎝/V·sec and 8×10^19㎝^-3, respectively. SnO_2 films had the lowest resistivity and the highest mobility and carrier concentration when the ratio of Sb was 1.5 wt%. The value of resistivity, mobility and carrier concentration on SnO_2 films were 1.98×10^-3Ω㎝, 52.4㎝/V·sec and 6.2×10^19㎝^-3, respectively.

ZnSe에 注入된 不純物의 Trap Energy Level에 관한 硏究

金榮咸,高正大 동국대학교 재료과학연구소 1983 材料科學硏究所 論文集 Vol.3 No.-

ZnSe 單結晶의 TSC곡선은 150K와 195K 두 곳에서 peak를 보이며 이 두 곡선의 δ/ω는 0.44이다. 따라서 1차 kinetic order의 TSC임을 알 수 있다. ZnSe 單結晶의 trap energy level을 initial rise법과 peak shape法 및 heating rate法으로 분석한 결과, 150K의 경우는 conduction band 아래로 0.23eV, 195K의 경우에는 0.35eV에 존재하는 것을 알았다. 그리고 아울러서 B_n과 σ_n값은 150K의 경우에는 각각 8.31×10^3K^-2s^-1, 1.07×10^-18㎠이었고 195K의 경우에는 각각 2.57×10^3K^-2s^-1, 1.52×10^-17㎠이었다. 한편 TL glow curve는 140K와 190K 두 곳에 peak가 나타나며 이 중 140K의 경우 heating rate法으로 TL glow curve를 분석한 결과 trap energy level이 0.15eV였다. 같은 방법으로 Li^+이온이 注入된 ZnSe에 대해서는 TSC 方法으로 분석한 결과 trap energy level이 0.49eV되는 곳에 존재하며 B_n과 σ_n 값이 각각 4.20×10^3K^-2s^-1, 3.87×10^-17㎠ 이었으며 TL방법으로 분석한 결과로는 trap energy level이 0.34eV인 것을 알았다. Trap energy level E, carrier emission rate B, capture cross-section σ and trap change state were investigated by thermally stimulated current (TSC) and thermoluminescence (TL) method for ZnSe single crystals and Li^+ ion implanted ZnSe. The TSC curves for ZnSe single crystal show two peaks, the one near the 150K and the other near the 195K. The values of δ/ω are 0.44, which means that the TSC are due to a 1st kinetic order mechanism. The trap energy levels obtained from the initial rise method, the peak shape method and the heating rate method are 0.23eV and 0.35eV below the bottom of the conduction-band at 150K and 195K respectively for ZnSe single crystals. And the values of the parameters B_n and σ_n are 8.31 × 10 exp (3) K^-2s^-1 and 1.07 × 10 exp (-18) ㎠ for 150K peak. 2.57 × 10 exp (3) K^-2s^-1 and 1.52 × 10 exp (-17) ㎠ for 195K peak respectively. But TL glow curve show two peaks at 140K and 190K. The trap energy level obtained from TL glow curve is 0.15eV at 140K for ZnSe single crystals. Same analysis of TSC for Li^+ ion implanted ZnSe gives trap energy levels with 0.49eV. And the values of B_n and σ_n are 4.20 × 10 exp (3) K^-2s^-1, 3.87 × 10 exp (-17) ㎠ respectively. But the trap energy level obtained from TL glow curves is 0.34eV.

Fe₂O₃가 함유된 Sodium Silicate 유리의 결정화

백승도,김영민,홍치유,문찬호,고정대,이경행 동국대학교 자연과학연구소 1986 자연과학연구 논문집 Vol.6 No.-

본 연구에서는 30Na₂O-15CuO-15Fe₂O₃-40SiO₂우리의 결정화상태를 X-ray diffractometer와 Mossbauer spectrometer를 사용하여 조사하였다. 열처리에 의해 결정화된 유리내부에는 a-SiO₂, B-NaFeO₂, CuFe₂O₄, NaSiO₃등의 결정체가 형성되었다. 또한 우리에 함유된 Fe₂O₃는 glass former로 작용하였으며, 결정화된 유리내의 B-NaFeO₂와 CuFe₂O₄결정체에 대한 Mossbauer spectra 는 paramagnetic 특성을 나타내었다. X-ray diffractometer and Mossbauer spectrometer were used to investigate the properties of the crystallized materials in the 30Na₂O-15CuO-15Fe₂O₃-40SiO₂glass by heat treatment. The particle sizes of B-NaFeO₂and CuFe₂O₄were showed to be mazimum at 650℃ and the absorption area of Mossbauer spectra apperared to be decrease as the particle sizes increase. From the isomer shift values, it is concluded that the coordination numbers of Fe? ions changes from octahedral site to tetrahedral site as theheat-treatment temperatures increase. And even though the crystallized materials were B-NaFeO₂and CuFe₂O₄, the Mossbaure spectra showed the paramagnetic properties.

The Opto-Electrical Properties of ITO Films and SnO_2 Films Fabricated by CVD Method using Ultrasonic Vibrator

Kim, Y.H,Ko, J.D,Kim, J.H 동국대학교 재료과학연구소 1983 材料科學硏究所 論文集 Vol.3 No.-

A Study on the Trap Energy Level of Impurity Implanted ZnSe

Kim, Y.H,Ko, J.D. 東國大學校 附設 材料科學硏究所 1983 材料科學硏究所 論文集 Vol.3 No.-

A Study on the Trap Energy Level of Impurity Implanted ZnSe

Kim,Y.H.,Ko,J.D. 동국대학교 자연과학연구소 1983 자연과학연구 논문집 Vol.3 No.-

ZnSe單結晶의 TSC곡선은 150K와 195K 두곳에서 peak를 보이며 이 두 곡선의 δ/w는 0.44이다. 따라서 1차 kinetic order의 TSC임을 알 수 있다. ZnSe 單結晶의 trap energy level을 initial rise법과 peak shape法 및 heating rate法으로 분석한 결과, 150K의 경우는 conduction band 아래로 0.23eV, 195K의 경우에는 0.35eV에 존재하는 것을 알았다. 그리고 아울러서 B?과 σ?값은 150K의 경우에는 각각 8.31×10³K?, 1.07×10?cm이었고 195K의 경우에는 각각 2.57×10K?s, 1.52×10?cm²이었다. 한편 TL glow curve는 140K와 190K 두 곳에서 peak가 나타나며 이 중 140K의 경우 heating rate法으로 TL glow curve� 분석한 결과 trap energy level이 0.15eV였다. 같은 방법으로 Li?이온이 注入된 ZnSe에 대해서는 TSC方法으로 분석한 결과 trap energy level이 0.49eV되는 곳에 존재하며 B?과 σ? 값이 각각 4.20×10³K?s, 3.87×10?cm²이었으며 TL방법으로 분석한 결과로는 trap energy level이 0.34eV인 것을 알았다. Trap energy level E, carrier emission rate B, capture cross-section σand trap charge state were investigated by thermally stimulated current (TSC) and thermoluminescence (TL) method for ZnSe single crystals and Li? ion implated ZnSe. The TSC curves for ZnSe single crystal show two peaks, the one near the 150K and the other near the 195K. The values of δ/w are 0.44, which means that the TSC are due to a 1st kinetic order mechanism. The trap energy levels obtained from the initial rise method, the peak shape method and the heating rate method are 0.23eV and 0.35eV velow the bottom of the conduction-band at 150K and 195K respectively for ZnSe single crystals. And the values of the parameters B? and σ? are 8.31×10³K?, 1.07×10?cm for 150K peak, 2.57×10K?s, 1.52×10?cm²for 195K peak respectively. But TL glow curve show two peaks at 140K and Same analysis of TSC for Li?ion implanted ZnSe gives trap energy levels with 0.49eV. And the values of B? and σ?are 4.20×10³K?s, 3.87×10?cm²respectively. But the trap energy level obtained from TL glow curves is 0.34eV.