Strained-Si heterostructure field effect devices|RISS 상세보기

다국어 입력

あぁかがさざただなはばぱまやゃらわゎんいぃきぎしじちぢにひびぴみりうぅくぐすずつづっぬふぶぷむゆゅるえぇけげせぜてでねへべぺめれおぉこごそぞとどのほぼぽもよょろを

アァカサザタダナハバパマヤャラワヮンイィキギシジチヂニヒビピミリウゥクグスズツヅッヌフブプムユュルエェケゲセゼテデヘベペメレオォコゴソゾトドノホボポモヨョロヲ ―

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)

ㅥ ㅦ ㅧ ㅨ ㅩ ㅪ ㅫ ㅬ ㅭ ㅮ ㅯ ㅰ ㅱ ㅲ ㅳ ㅴ ㅵ ㅶ ㅷ ㅸ ㅹ ㅺ ㅻ ㅼ ㅽ ㅾ ㅿ ㆀ ㆁ ㆂ ㆃ ㆄ ㆅ ㆆ ㆇ ㆈ ㆉ ㆊ ㆋ ㆌ ㆍ ㆎ

Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω

á à Á À é è É È ç Ç ê

Ä Ö Ü ä ö ü ß

‘ ’ “ ” 〔〕〈〉「」『』【】＂（）［］｛｝

± × ÷ ≠ ≤ ≥ ∞ ∴ ♂ ♀ ∠ ⊥ ⌒ ∂ ∇ ≡ ≒ ≪ ≫ √ ∽ ∝ ∵ ∫ ∬ ∈ ∋ ⊆ ⊇ ⊂ ⊃ ∪ ∩ ∧ ∨ ￢ ⇒ ⇔ ∀ ∃ ∮ ∑ ∏ ＋－＜＝＞

、。 · ‥ … ¨ 〃 ― ∥ ＼ ∼ ´ ～ ˇ ˘ ˝ ˚ ˙ ¸ ˛ ¡ ¿ ː ！＇，．／：；？＾＿｀｜

½ ⅓ ⅔ ¼ ¾ ⅛ ⅜ ⅝ ⅞ ¹ ² ³ ⁴ ⁿ ₁ ₂ ₃ ₄

Æ Ð Ħ Ĳ Ł Ø Œ Þ Ŧ Ŋ æ đ ð ħ ı ĳ ĸ ŀ ł ø œ ß þ ŧ ŋ ŉ

А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я а б в г д е ё ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ ъ ы ь э ю я

′ ″ ℃ Å ￠￡￥ ¤ ℉ ‰ ＄％Ｆ￦㎕㎖㎗ ℓ ㎘㏄㎣㎤㎥㎦㎙㎚㎛㎜㎝㎞㎟㎠㎡㎢㏊㎍㎎㎏㏏㎈㎉㏈㎧㎨㎰㎱㎲㎳㎴㎵㎶㎷㎸㎹㎀㎁㎂㎃㎄㎺㎻㎽㎾㎿㎐㎑㎒㎓㎔ Ω ㏀㏁㎊㎋㎌㏖㏅㎭㎮㎯㏛㎩㎪㎫㎬㏝㏐㏓㏃㏉㏜㏆

§ ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ ¶ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿㈜ № ㏇ ™ ㏂㏘ ℡ ＃＆＊＠ ª º

ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ

ا ب ت ث ج ح خ د ذ ر ز س ش ص ض ط ظ ع غ ف ق ک ل م ن ه و ی

RISS 인기검색어

한글로보기

https://www.riss.kr/link?id=M10947602

저자

Maiti, C. K ; Chattopadhyay, Swapan ; Bera, L. K
발행사항
New York : Taylor & Francis , c2007
발행연도
2007
작성언어
영어
주제어

Metal oxide semiconductor field-effect transistors ; Silicon
DDC
621.3815284 판사항(22)
ISBN
9780750309936 (alk. paper)
0750309938 (alk. paper)
자료형태
단행본(다권본)
발행국(도시)
New York(State)
서명/저자사항
Strained-Si heterostructure field effect devices / C.K. Maiti, S. Chattopadhyay, L.K. Bera.
형태사항
423 p. : ill. ; 25 cm.
총서사항
Series in materials science and engineering
일반주기명
Includes bibliographical references and index.
소장기관
- 가천대학교 중앙도서관
- 경희대학교 국제캠퍼스 도서관
- 고려대학교 세종학술정보원
- 서강대학교 도서관
- 연세대학교 학술문화처 도서관
- 위덕대학교 도서관
- 인하대학교 도서관
- 중앙대학교 서울캠퍼스 학술정보원
- 홍익대학교 중앙도서관

목차 (Table of Contents)

자료제공 :
Introduction. Strain Engineering in Microelectronics. Strain-Engineered Substrates. Electronic Properties of Engineered Substrates. Gate Dielectrics on Engineered Substrates. Heterostructure SiGe/SiGe

자료제공 :
Introduction. Strain Engineering in Microelectronics. Strain-Engineered Substrates. Electronic Properties of Engineered Substrates. Gate Dielectrics on Engineered Substrates. Heterostructure SiGe/SiGe

온라인 서점 구매

온라인 서점 구매 정보
서점명	서명	판매현황	종이책			전자책 구매링크
서점명	서명	판매현황	정가	판매가(할인율)	포인트(포인트몰)	전자책 구매링크
	Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices	판매중	577,870원	520,080원 (10%)	26,010포인트 (5%)