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      열처리된 Bulk MoS2 와 금속접합 소자의 전기적 특성 연구 = Electrical characteristics of thermally annealed bulk MoS2/metal contacts

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      https://www.riss.kr/link?id=T13355536

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      We have investigated contact properties of thermally annealed bulk MoS2 with various metals. Pristine bulk MoS2 is thermally processed with H2 or N2 gas at 300 and 400℃. Four different metals, Au, Ni, Ti, or Al, are fabricated on the MoS2 films as electrodes by using a thermal evaporator.
      Temperature dependence of the current – voltage (I-V) characteristics are investigated in order to figure out junction properties between MoS2 and metals.
      Au, Ni shows good ohmic contact characteristics from 300K to 100K for all the samples. Schottky contact I-V curves are observed when Ti and Al are used.
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      We have investigated contact properties of thermally annealed bulk MoS2 with various metals. Pristine bulk MoS2 is thermally processed with H2 or N2 gas at 300 and 400℃. Four different metals, Au, Ni, Ti, or Al, are fabricated on the MoS2 films as e...

      We have investigated contact properties of thermally annealed bulk MoS2 with various metals. Pristine bulk MoS2 is thermally processed with H2 or N2 gas at 300 and 400℃. Four different metals, Au, Ni, Ti, or Al, are fabricated on the MoS2 films as electrodes by using a thermal evaporator.
      Temperature dependence of the current – voltage (I-V) characteristics are investigated in order to figure out junction properties between MoS2 and metals.
      Au, Ni shows good ohmic contact characteristics from 300K to 100K for all the samples. Schottky contact I-V curves are observed when Ti and Al are used.

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      목차 (Table of Contents)

      • Chapter 1. Introduction = 1
      • 1-1. Motivation = 1
      • 1-2. Molybdenum disulfide (MoS2) = 4
      • Chapter 2. Theory = 11
      • 2-1. Metal Semiconductor - Schottky contact = 11
      • Chapter 1. Introduction = 1
      • 1-1. Motivation = 1
      • 1-2. Molybdenum disulfide (MoS2) = 4
      • Chapter 2. Theory = 11
      • 2-1. Metal Semiconductor - Schottky contact = 11
      • 2-2. Metal Semiconductor - Ohmic contact = 14
      • Chapter 3. Experimental = 16
      • 3-1. Sample preparation = 16
      • 3-2. Electrode evaporation = 18
      • 3-3. Electrical measurement system = 22
      • Chapter 4. Results and Discussion = 24
      • 4-1. Temperature dependence I-V Characteristics = 24
      • Chapter 5. Conclusions = 32
      • References = 33
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