LED용 사파이어 기판의 단면 래핑에서 정반형상 제어를 통한 기판 두께균일도 향상 = Thickness improvement of sapphire wafer with sigle side lapping by controlling platen shape

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

The sapphire wafer is widely used in optical semiconductor devices as important substrate materials. The wafer should have high flatness and defect-free surface by mechanical lapping and chemical mechanical polishing, since the poor surface may lead to high fraction defective. Hence, mechanical lapping is one of the most critical process in terms of final step to determine flatness of the wafer. In this process, one of the major factors determining the thickness variation of the wafer is a platen shape and the others are pressure distribution on the wafer, thermal deformation of the platen and velocity ratio of the head to the platen. To control the flatness of a wafer, the relations between these factors and thickness of a wafer should be defined. So, the experiment was focused on finding out the relationship between platen and wafer shape by using different set of platen shape. The thickness model of the wafer and the platen was obtained from the results. This model can easily explain the relations between them and help optimize the initial platen shape. Also it can be a tool for evaluating lapping system.

목차 (Table of Contents)

• 1.서론 1
• 1.1 연구배경 1
• 1.2 연구동향 및 목적 7
• 1.3 연구내용 9
• 2.본론 11
• 2.1 사파이어 웨이퍼 가공 기술의 개요 11
• 2.1.1 사파이어 웨이퍼링 공정 11
• 2.1.2 단면 래핑 공정의 연마 메커니즘 15
• 2.2 웨이퍼의 평탄도 19
• 2.2.1 래핑 공정에서 평탄도에 영향을 미치는 인자 19
• 2.2.2 웨이퍼 및 정반 형상 정의 24
• 2.3 정반 형상이 웨이퍼 형상에 미치는 영향 26
• 2.3.1 실험 조건 및 장치 26
• 2.3.2 실험 결과 및 고찰 30
• 2.3.3 정반-웨이퍼 형상 모델 36
• 2.4 정반-웨이퍼 형상 모델의 분석 38
• 2.4.1 웨이퍼 압력 분포의 영향 38
• 2.4.2 정반 열변형의 영향 43
• 2.4.3 정반-웨이퍼 형상 모델의 수식화 46
• 2.5 정반-웨이퍼 형상 모델의 응용 49
• 2.5.1 정반 형상에 대한 민감도 평가 49
• 2.5.2 초기 정반 형상의 최적 설계 52
• 3. 결론 55
• 참고 문헌 58
• ABSTRACT 63