Al2O3 박막 식각도에 영향을 주는 요소 연구 = A study on the factors influencing the etch rate Al2O3 thin film

목차 (Table of Contents)

• 제1장 서 론 1
• 제2장 배경이론 2
• 제1절 플라즈마 2
• 1. 플라즈마의 정의 2
• 2. 플라즈마의 분류 및 응용분야 3
• 3. 축전 결합 플라즈마 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 4
• 4. 유도 결합 플라즈마 ICP(Inductively Coupled Plasma) 6
• 제2절 플라즈마 식각 반응 9
• 1. 플라즈마 식각 9
• 2. 식각도(Etch rate) 11
• 3. 선택비(Selectivity) 12
• 4. 임계 치수 CD(Critical Dimension) 13
• 제3절 Al2O3 성질 및 식각 15
• 1. Al2O3 박막 특성 15
• 2. Al2O3 박막 형성 방법 16
• 제3장 실험 장치 및 조건 17
• 제1절 실험 장치 – 플라즈마 공정 챔버 17
• 제2절 실험 조건 19
• 제4장 실험 결과 20
• 제1절 소스 전력 변화 20
• 제2절 바이어스 전력 변화 21
• 제3절 압력 변화 22
• 제4절 CH4 가스 유량 변화 23
• 제5절 Cl2 가스 유량 변화 24
• 제5장 결 론 26
• ABSTRACT 27
• 감사의 글 29
• 참고문헌 30