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지금까지는 a-Si:H TFT의 제작시에 gate dielectric막은 400℃이하의 저온공정이 가능하다는 이유 때문에 PECVD법이 많이 이용되었다. 그러나 이렇게 증착된 dielectric막은 계면준위가 높아서 이를 이...
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부가정보
국문 초록 (Abstract)
지금까지는 a-Si:H TFT의 제작시에 gate dielectric막은 400℃이하의 저온공정이 가능하다는 이유 때문에 PECVD법이 많이 이용되었다. 그러나 이렇게 증착된 dielectric막은 계면준위가 높아서 이를 이용한 소자의 특성과 신뢰성에 문제가 있다. 그래서 본 연구에서는 ECR PECVD법을 이용하여 400℃이하의 저온에서 산화막을 증착이 아니라 성장시키는 방법을 시도했다. 성장법을 이용하면 계면자체에 있던 불순물들이 절연체막으로 들어가므로 좋은 특성의 계면을 얻을 수 있을 것이다. 본 연구에서는 oxide막을 성장시키기 위해서 실험조선을 여러 가지로 변화시키면서 실험을 진행하였고, 이렇게 성장된 oxide막의 결합상태 및 roughness, 그리고 두께를 각각 FTIR, AFM, Ellipsometer를 이용하여 관찰하였다.
지금까지는 a-Si:H TFT의 제작시에 gate dielectric막은 400℃이하의 저온공정이 가능하다는 이유 때문에 PECVD법이 많이 이용되었다. 그러나 이렇게 증착된 dielectric막은 계면준위가 높아서 이를 이용한 소자의 특성과 신뢰성에 문제가 있다. 그래서 본 연구에서는 ECR PECVD법을 이용하여 400℃이하의 저온에서 산화막을 증착이 아니라 성장시키는 방법을 시도했다. 성장법을 이용하면 계면자체에 있던 불순물들이 절연체막으로 들어가므로 좋은 특성의 계면을 얻을 수 있을 것이다. 본 연구에서는 oxide막을 성장시키기 위해서 실험조선을 여러 가지로 변화시키면서 실험을 진행하였고, 이렇게 성장된 oxide막의 결합상태 및 roughness, 그리고 두께를 각각 FTIR, AFM, Ellipsometer를 이용하여 관찰하였다.
분석정보
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