Ferroelectric Proper of Multilayered SrBi_2Ta_2O_9/Pb(Zr, Ti)O_3 Thin Film Capacitor = Sol-Gel 방법에 의한 SrBi_2Ta_2O_9/Pb (Zr,Ti)O_9 다층 박막 제작 및 강유전 특성

국문 초록 (Abstract)

Atomic force microscope/lateral force microscopye(AFM/LFM)를 이용하여 sol-gel 방법으로 제작한 SrBl₂Ta₂O_9(SBT)박막의 표면 형상 및 이의 열처리 온도에 따른 거동을 조사하였다. 675℃이하에서 열처리한 시료에서 비정질의 matrix상이 나타났으며, 이는 X-선 회절(XRD) 형태로 확인할 수 있었다. LFM상의 측정으로부터 구한 결정 grain 및 비정질 matrix의 silicon nitride tip과의 마찰 계수는 각각 0.21±0.08 and 0.03±0.08이다. LFM 상에 나타난 grain 의 분포율은 열처리 온도에 따라 증가하며 이는 XRD 형태의 외삽법에 의한 결과와 일치한다 열처리 온도에 따른 SBT 박막의 유전상수와 분극전기장 이력특성은 각각 grain의 분포율과 크기에 의존한다.

목차 (Table of Contents)

• Ferroelectric Properties of Multilayered SrBi2Ta2O9/Pb(Zr,Ti) O3 Thin Film Capacitor
• Abstract
• Ⅰ. Introduction
• Ⅱ. Experimental
• Ⅲ. Result and Discussion
• Ⅳ. Conclusion
• References
• Sol-gel 방법으로 제작한 SrBi2Ta2O9 박막의 결정화와 표면 형상 구조
• 국문초록
• Ⅰ. 서론
• Ⅱ. 실험
• Ⅲ. 결과 및 논의
• Ⅳ. 결론
• 참고문헌
• Abstract
• 이종접합 SrBi2Ta2O9/Pb(Zr,Ti) O3 박막 커패시터의 강유전 특성
• Abstract
• 1. 서론
• 2. 실험
• 3. 결과 및 논의
• 4. 결론
• 참고문헌