Atomic and electronic structures of solid heterointerfaces : (1996년도 대학부설 기초과학연구소 학술연구조성비 지원 연구과제 결과 보고서) = 고체 이종계면의 원자 및 전자구조

국문 초록 (Abstract)

X-선 광전자 분광법(x-ray photoelectron spectroscopy XPS) 과 반사 고에너지 전자 회절법(reflection high energy electron diffraction RHEED)을 이용하여 상온과 고온(약300~500℃)에서 알칼리금속(AM)/S₁(111)7×7 표면에의 초기 산화 과정에 대하여 연구하였다. 상온에서, S₂(111)7×7 표면에 1 monolayer (ML)의 AM을 흡착시키면 S₁(111)7×7 표면에 비해 산소의 초기 부착 계수 (initial sticking coefficient)와 산소의 포화량이 증가하는 반면 0.5ML 이하의 AM 이 흡착된 경우는 깨끗한 S₁(111)7×7 표면에 산소의 주입량을 증가시키면서 측정한 0 US 스팩트럼으로부터 AM이 흡착된 S_I(111)7*7표면에 흡착되는 산소원자는 S_I-0,AM_0 두 종류의 결합형태를 가지는 것으로 생각되며 이중에서 AM-0결합의 산화과정상에서의 역랑에 대하여 논의하였다 상온과는 달리 고온에서는 ,S_I(111)3*1-AM표면으로 구조가 변화하면서 산소의 흡착이 급격히 떨어지는 것을 관측할 수 있었다 이때 3*1-AM표면을 형성시키는 AM 종류의 산화에 대한 의존성을 살펴보았다.

목차 (Table of Contents)

• 목차
• 1. Na-induced Reconstructions of the Si(113)3×2 Surface
• 2. 알칼리금속이 흡착된 Si(111)7×7 계의 초기 산화 과정 연구
• 3. Cesiam Core Level Binding Energy Shifts
• 4. Bonding Nature Between Oxygen and Sodium
• 5. Heavy-Fermion-like Behavior in Semiconductor Yb3S4
• 6. Subsurface growth of Ni atoms deposited on a Cu(001) surface
• 7. electron-Stimulated Disruption of the c(2×2) CO Adlayer on a Pt(001) Surface
• 8. The initial growth mode of Ni deposited on a Ag(001) surface