Si 기판세정시 구리와 철 금속 불순물의 제거 기구에 관한 연구

국문 초록 (Abstract)

ULSI급 소자의 집적도가 높아짐에 따라 공정의 신뢰도 및 수율 향상을 위한 실리콘 기판의 세정 방법에 대한 관심이 매우 높아지고 있다. 특히 최근 활발히 연구 개발이 진행 되고있는 giga급 이상의 소자에 있어 단위 공정의 수가 증가함에 따라 유기물이나 산화물, 파티클, 금속불순물 등에 의한 오염의 가능성이 증가되었으며 이중 특히 금속불순물의 오염방지를 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 금속 불순물중 실제 공정중에서 잘 오염되는 것으로 알려진 Cu와 Fe를 인위적으로 Si 기판위에 오염 시킨 후에 UV/O_3과 HF solution을 이용한 세정방법과 HR와 H_2O_2를 혼합한 용액을 이용한 세정 등 두 가지 다른 세정방법을 실시한 후 잔류 금속 불순물의 양, Si 표면의 미세 거칠기, Metallic impurity의 흡착형태 등을 TXRF, SPV, AFM, SEM, TEM, AES 등을 이용하여 분석하였다. 두가지 세정방법 모두 우수한 금속불순물 제거 효과를 보였고 반복된 세정에의해 표면 거칠기도 개선되었다. Cu는 전자의 교환에 의한 화학적 흡착에 의해 Si 표면에 오염되었으며 Fe는 물리적 흡착에 의해 표면에 오염 되었다.

목차 (Table of Contents)

• 초록문
• Ⅰ. 서론
• Ⅱ. 이론적 배경
• Ⅲ. 실험 방법
• Ⅳ. 실험 결과 및 고찰
• Ⅴ. 결론
• Ⅵ. 참고문헌