Gate 전압 변화에 의한 조셉슨 접합 배열에서의 초전도체-부도체 상전이 연구 = Superconductor - Insulator Phase Transition of Josephson Junction Array Tuned by Gate Voltage

국문 초록 (Abstract)

2차원 박막의 초전도체-부도체 상전이에 대하여 boson Hubbard model을 통하여 알아본다. 특히 gate 전압을 통하여 boson의 밀도 변화로 유도되는 상전이에 대하여 살펴보고자 한다. 이를 위하여 (2+1)차원을 갖는 대등한 고전적인 모델을 택하여 Monte Carlo 방법을 통해 simulation한다. 이때 계의 크기를 변화시켜가며 물리량들을 측정하여 이로부터 무한 크기의 계에서의 상전이의 임계점을 찾아본다. 그 결과 초전도체 stiffness와 boson의 밀도에 대한 축척 곡선을 얻었으며 동역학적인 임계지수가 z= 2 임을 얻었다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

We have studied superconductor-insulator phase transition of thin films through a boson Hubbard model. Especially we are interested in the transition caused by the change of boson density which may be controlled by gate voltage. For this purpose, Monte Carlo simulations of an equivalent (2+1)-dimensional classical model have been performed. Various physical quantities are measured while the size of systems are changed systematically in order to find the transition point in infinite system. As a result, we obtain fine scaling curves for superconductor stiffness and density of bosons. We also find that the dynamical critical exponent z=2.

목차 (Table of Contents)

• 1.서론
• 2.전산모의실험
• 2.1 모델
• 2.2 Monte Carlo 방법
• 2.3 상응하는 고전 모델
• 3.유한크기축척과 simulation 결과
• 3.1 유한크기축척
• 4.결론