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      Reverse Bias Leakage Current Mechanism of AlGaN/InGaN/GaN Heterostructure

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      https://www.riss.kr/link?id=A105872746

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      The reverse bias leakage current mechanism of AlGaN/InGaN/GaNheterostructure is investigated by current-voltage measurement intemperature range from 298 K to 423 K. The Higher electric field acrossthe AlGaN barrier layer of AlGaN/InGaN/GaN double hete...

      The reverse bias leakage current mechanism of AlGaN/InGaN/GaNheterostructure is investigated by current-voltage measurement intemperature range from 298 K to 423 K. The Higher electric field acrossthe AlGaN barrier layer of AlGaN/InGaN/GaN double heterostructuredue to higher polarization charge is found to be responsible for strongFowler-Nordheim (FN) tunnelling in the electric field higher than3.66 MV/cm. For electric field less than 3.56 MV/cm, the reverse biasleakage current is also found to follow the trap assisted Frenkel-Poole(FP) emission in low negative bias region. Analysis of reverse FPemission yielded the barrier height of trap energy level of 0.34 eV withrespect to Fermi level.

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      참고문헌 (Reference)

      1 E. Arslan, 94 : 142106-, 2009

      2 L. Xia, 102 : 113510-, 2013

      3 E. Arslan, 24 : 075003-, 2009

      4 E. J. Miller, 91 : 9821-, 2002

      5 M. J. Hanna, 101 : 153504-, 2012

      6 H. Kim, 86 : 143505-, 2005

      7 L. Liu, 32 : 052201-, 2014

      8 E. T. Yu, 73 : 1880-, 1998

      9 I. H. Tan, 68 : 4071-, 1990

      10 O. Ambacher, 85 : 3222-, 1999

      1 E. Arslan, 94 : 142106-, 2009

      2 L. Xia, 102 : 113510-, 2013

      3 E. Arslan, 24 : 075003-, 2009

      4 E. J. Miller, 91 : 9821-, 2002

      5 M. J. Hanna, 101 : 153504-, 2012

      6 H. Kim, 86 : 143505-, 2005

      7 L. Liu, 32 : 052201-, 2014

      8 E. T. Yu, 73 : 1880-, 1998

      9 I. H. Tan, 68 : 4071-, 1990

      10 O. Ambacher, 85 : 3222-, 1999

      11 C. X. Wang, 84 : 2313-, 2004

      12 G. Simin, 40 : 1142-, 2001

      13 N. Maeda, 38 : 799-, 1999

      14 A. Chakraborty, 106 : 082112-, 2015

      15 J. W. P. Hsu, 78 : 1685-, 2001

      16 J. W. P. Hsu, 81 : 79-, 2002

      17 E. J. Miller, 88 : 5951-, 2000

      18 E. J. Miller, 84 : 535-, 2004

      19 S. Karmalkar, 82 : 3976-, 2003

      20 D. M. Sathaiya, 99 : 093701-, 2006

      21 S. Sudharsanan, 107 : 064501-, 2010

      22 H. Zhang, 99 : 023703-, 2006

      23 D. Yan, 97 : 153503-, 2010

      24 S. Turuvekere, 60 : 3157-, 2013

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      학술지등록 한글명 : Electronic Materials Letters
      외국어명 : Electronic Materials Letters
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      2016 1.68 0.41 1.08
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.89 0.83 0.333 0.06
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