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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      TiB_(X)/Si의 계면반응에 관한 연구 = A Study on Interfacial Reactions in TiB_(X)/Si System

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      https://www.riss.kr/link?id=A75060067

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      국문 초록 (Abstract)

      TiB_X/Si 시스템의 계면반응과 TiB_X 박막의 열적 안정성을 연구하기 위하여 진공분위기에서 시료들을 준비하고 300℃에서 1000℃로 어닐링하였으며 XRD 및 XPS를 사용하여 고상반응을 조사하였다....

      TiB_X/Si 시스템의 계면반응과 TiB_X 박막의 열적 안정성을 연구하기 위하여 진공분위기에서 시료들을 준비하고 300℃에서 1000℃로 어닐링하였으며 XRD 및 XPS를 사용하여 고상반응을 조사하였다. B/Ti의 비율이 2.0이상일 때는 어닐링온도가 1000℃이더라도 조직의 변화가 없었으나 B/Ti의 비율이 2.0 이하일 때는 2종류의 고상반응이 경쟁적으로 일어났다. 그 고상반등들은 계면에서 티타늄 실리사이드의 생성과 표면에서의 TiB₂상의 출현인 것으로 밝혀졌다.

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