산 증식형 포토레지스트 Poly[(4-methacryloyloxy-4`-tosyloxy isopropylidene dicyclohexane)-co-(tert-butyl metacrylate)]의 합성 및 특성 연구 = Poly[(4-methacryloyloxy-4`-tosyloxy isopropylidene dicyclohexane)-co-(tert-butyl metacrylate)] as an acid amplifying photoresist

국문 초록 (Abstract)

황산 발생제와 산에 민감한 고분자로 구성된 화학 중폭형 포토레지스트에 산 증식제를 첨가하면 산 증식제의 분해에 의한 산 촉매 분자의 중폭 현상 때문에 감도가 향상되는 결과를 얻을 수 있다. 우리는 photoresist 조성 공정을 간소화하고 광감도를 증가시키기 위해 tert-butyl methacrylaty와 4-methacryloyloxy-4-tosyloxy isopropylidene dicyclo-hexane을 공중합하여 고분자형·증식제에 기초한 positive working photoresist로써 poly(MTID_10-co-tBMA_90)를 개발했다. 이런 고분자형 산 증식제는 레지온도에 대하여 충분한 열적 안정성을 나타냈다. Poly(MTID_10-co-tBMA_90)는 이런 고분자의 곁사슬에 있는 산 증폭 기능을 하는 용기의 분해 결과로서 산 촉매 분자가 증폭되므로 광감도가 증진된다. Poly(MTID_10-co-tBMA_90)는 tBMA homopolymer에 비이상의 광감도 증진 효과를 나타내었다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

The addition of the acid amplifier to a chemically amplified photoresist consisting of photoacid generator and acid-sensitive polymer results in the improvement of photosensitivity due to the amplified generation of catalytic acid molecules as a result of the decomposition of acid amplifiers. We developed a copolymer, poly(mtid_10-co-tBMA_90) , of tert-butyl methacrylate and 4-methanyloyloxy-4-tosyloxy isopropylidene dicyclohexane as a positive working photoresist based in polymeric acid amplifier in order to enhance photosensitivity and simplify the process of formulating photoresist. Poly(MTID_10-co-tBMA_90) had an improvement of photosensitivity due to the amplified generation catalytic acid molecules as a result of decomposition of the acid amplifying functional group in the side chain of this polymer. This polymeric acid amplifiers showed reasonable thermal stability for resist processing temperature. The poly(NTID_10-co-tBMA_90) exhibited 2X higher photosensitivity compared with tBMA homopolymer(PtBMA).