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      Li 도핑된 ZnSnO 박막 트랜지스터의 전기 및 광학적 특성에 대한 고속 중성자 조사의 영향 = Influence of Fast Neutron Irradiation on the Electrical and Optical Properties of Li Doped ZnSnO Thin Film Transistor

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      https://www.riss.kr/link?id=A106824381

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      The effects of fast neutron irradiation on the electrical and optical properties of Li (3 at%) doped ZnSnO (ZTO) thin films fabricated using a sol-gel process are investigated. From the results of Li-ZTO TFT characteristics according to change of neut...

      The effects of fast neutron irradiation on the electrical and optical properties of Li (3 at%) doped ZnSnO (ZTO) thin films fabricated using a sol-gel process are investigated. From the results of Li-ZTO TFT characteristics according to change of neutron irradiation time, the saturation mobility is found to increase and threshold voltage values shift to a negative direction from 1,000 s neutron irradiation time. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the O 1s core level shows that the relative area of oxygen vacancies is almost unchanged with different irradiation times. From the results of band alignment, it is confirmed that, due to the increase of electron carrier concentration, the Fermi level (E<sub>F</sub>) of the sample irradiated for 1,000 s is located at the position closest to the conduction band minimum. The increase in electron concentration is considered by looking at the shallow band edge state under the conduction band edge formed by fast neutron irradiation of more than 1,000 s.

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      참고문헌 (Reference)

      1 T. Minami, 24 : 781-, 1985

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      18 조인환, "Zn-Sn-O 박막 트랜지스터의 전기적 특성에 대한 전자빔 조사의 영향" 한국재료학회 27 (27): 216-220, 2017

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      21 문혜지, "Effect of High-energy Electron Beam Irradiation on the Gate-bias Stability of IGZO TFTs" 한국물리학회 60 (60): 254-260, 2012

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      2009-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2007-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
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