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      KCI등재

      교류형 플라즈마 디스플레이에서 선택적 초기화 방법에 의한 기입 방전 특성의 영향 = Effect of Address Discharge Characteristics by Selective Reset Method in AC Plasma Display Panel

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      https://www.riss.kr/link?id=A101053896

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      The effect of address discharge characteristics by selective reset method is investigated to prevent the weakness of address discharge in the middle of a TV-field without increase of the black luminance. To reduce black luminance in AC PDP usually, th...

      The effect of address discharge characteristics by selective reset method is investigated to prevent the weakness of address discharge in the middle of a TV-field without increase of the black luminance. To reduce black luminance in AC PDP usually, the first subfield during one TV frame adopted the conventional rising ramp-reset waveform, whereas the other subfields adopted the subsidiary reset waveform without rising ramp type. As the wall charge for the address discharge was accumulated by only the rising ramp waveform during the first reset period, the wall charge on three electrodes was disappeared as time passed and the address discharge would be weakened in the rear subfields. To prevent a reduction of the address discharge characteristics without decrease the black luminance, the modified rising ramp reset waveform was adopted only in the sixth subfield. As a result, a modified driving method could improve the address discharge characteristics compared with selective reset driving scheme with almost the same black luminance.

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      참고문헌 (Reference)

      1 J. S. Kim, 31 : 1083-, 2003

      2 K. Sakita, 948 : 2002

      3 K. Yoshikawa, 92 : 605-, 1992

      4 C. H. Park, 49 : 1143-, 2002

      5 A. Saito, 210 : 2004

      6 Kurata, "US Patent, 6294875"

      7 L. F. Weber, "US Patent 5745086"

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      2 K. Sakita, 948 : 2002

      3 K. Yoshikawa, 92 : 605-, 1992

      4 C. H. Park, 49 : 1143-, 2002

      5 A. Saito, 210 : 2004

      6 Kurata, "US Patent, 6294875"

      7 L. F. Weber, "US Patent 5745086"

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      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (재인증) KCI등재
      2017-01-01 평가 등재학술지 유지 (계속평가) KCI등재
      2013-01-01 평가 등재 1차 FAIL (등재유지) KCI등재
      2010-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2008-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2006-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-05-30 학회명변경 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers KCI등재
      2004-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2001-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      1998-07-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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      학술지 인용정보

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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.13 0.13 0.13
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.14 0.14 0.247 0.06
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