RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      트랜지스터 차동쌍 폴딩 기법을 적용한 250-MSamples/s 8-비트 폴딩 아날로그-디지털 변환기의 설계 = A Design of 250-MSamples/s 8-Bit Folding Analog to Digital Converter using Transistor Differential Pair Folding Technique

      한글로보기

      https://www.riss.kr/link?id=A105641911

      • 0

        상세조회
      • 0

        다운로드
      서지정보 열기
      • 내보내기
      • 내책장담기
      • 공유하기
      • 오류접수

      부가정보

      국문 초록 (Abstract)

      본 논문에서는 저 전력, 고속 동작을 위하여 트랜지스터 차동쌍 폴딩 회로를 사용하는 CMOS 폴딩 ADC를 설계하였다. 본 논문에서는 제안한 트랜지스터 차동쌍 폴딩 회로에 대한 동작원리와 기...

      본 논문에서는 저 전력, 고속 동작을 위하여 트랜지스터 차동쌍 폴딩 회로를 사용하는 CMOS 폴딩 ADC를 설계하였다. 본 논문에서는 제안한 트랜지스터 차동쌍 폴딩 회로에 대한 동작원리와 기존의 폴딩 회로에 비해 어떤 장점을 가지고 있는지 설명한다. 이 회로를 적용하여 설계한 ADC에서는 폴딩신호를 처리하기 위하여 16 개의 정밀한 전압비교기와 32 개의 인터폴레이션 저항을 사용하므로 저 전력, 고속동작이 가능하고, 작은 칩 면적으로 제작할 수 있다. 설계공정은 0.25㎛ double-poly 2metal n-well CMOS 공정을 사용하였다. 모의실험결과 2.5V 전원전압을 인가하고 250MHz의 클럭 주파수에서 45mW의 전력을 소비하였으며 측정값을 통하여 계산된 INL은 ±0.15LSB, DNL은 ±0.15LSB, SNDR은 10MHz 입력신호에서 50dB로 측정되었다.

      더보기

      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      A CMOS folding ADC with transistor differential pair folding circuit for low power consumption and high speed operation is presented in this paper. This paper explains the theory of transistor differential pair folding technique and many advantages co...

      A CMOS folding ADC with transistor differential pair folding circuit for low power consumption and high speed operation is presented in this paper. This paper explains the theory of transistor differential pair folding technique and many advantages compared with conventional folding and interpolation circuits. A ADC based on transistor differential pair folding circuit uses 16 fine comparators and 32 interpolation resistors. So it is possible to achieve low power consumption, high speed operation and small chip size. Design technology is based on fully standard 0.25${\mu}{\textrm}{m}$ double poly 2 metal n-well CMOS process. A power consumption is 45mW at 2.5V applied voltage and 250MHz sampling frequency. The INL and DNL are within $\pm$0.15LSB and $\pm$0.15LSB respectively. The SNDR is approximately 50dB at 10MHz input frequency.

      더보기

      동일학술지(권/호) 다른 논문

      분석정보

      View

      상세정보조회

      0

      Usage

      원문다운로드

      0

      대출신청

      0

      복사신청

      0

      EDDS신청

      0

      동일 주제 내 활용도 TOP

      더보기

      주제

      연도별 연구동향

      연도별 활용동향

      연관논문

      연구자 네트워크맵

      공동연구자 (7)

      유사연구자 (20) 활용도상위20명

      이 자료와 함께 이용한 RISS 자료

      나만을 위한 추천자료

      해외이동버튼