고효율 양자점 태양전지를 위하여 Si<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub> 박막 내에 Si 양자점을 형성한 박막을 제작하고 그 특성을 분석하였다. Si<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub> 박...
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2009
Korean
양자점 ; 양자국한 ; 후 열처리 ; 고배율 전자현미경 ; 라만 분광법 ; 저각 X-선 회절법 ; 적외선 분광법 ; Photovoltaics ; Quantum dots ; Quantum confinement ; Post-annealing ; HRTEM ; Raman spectroscopy ; GIXRD ; FTIR spectroscopy ; 태양전지
505
학술저널
33-36(4쪽)
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고효율 양자점 태양전지를 위하여 Si<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub> 박막 내에 Si 양자점을 형성한 박막을 제작하고 그 특성을 분석하였다. Si<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub> 박...
고효율 양자점 태양전지를 위하여 Si<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub> 박막 내에 Si 양자점을 형성한 박막을 제작하고 그 특성을 분석하였다. Si<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub> 박막은 Si과 C target을 co-sputtering하여 증착하였다. C target의 RF power를 변화시켜 Si<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub> 박막의 조성비를 조절하였으며, 조성비는 auger electron spectroscopy로 정량적으로 측정하였다. 이 박막들을 질소 분위기에서 후 열처리하여 high resolution transmittance electron microscopy로 확인한 결과 박막 내에 2~10nm 크기의 양자점이 형성된 것을 관측할 수 있었다. 이 양자점은 transmittance electron diffraction과 grazing incident X-ray diffraction을 통해 Si 양자점과 SiC 양자점이 형성되었음을 알 수 있었다. Raman 측정 결과에서는 후 열처리한 Si<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub> 박막의 조성비가 증가할 수록 crystal Si peak의 shift가 증가함을 알 수 있었고, 이를 통해 양자점의 크기도 함께 계산할 수 있었다. Fourier transform infrared spectroscopy을 통해 후 열처리한 Si1-xCx 박막의 양자점의 형성 원인을 추정하였다.
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