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      CMOS-Memristor Hybrid 4-bit Multiplier Circuit for Energy-Efficient Computing

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      https://www.riss.kr/link?id=A103709812

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      In this paper, we propose a CMOS-memristor hybrid circuit that can perform 4-bit multiplication for future energy-efficient computing in nano-scale digital systems. The proposed CMOS-memristor hybrid circuit is based on the parallel architecture with ...

      In this paper, we propose a CMOS-memristor hybrid circuit that can perform 4-bit multiplication for future energy-efficient computing in nano-scale digital systems. The proposed CMOS-memristor hybrid circuit is based on the parallel architecture with AND and OR planes. This parallel architecture can be very useful in improving the power-delay product of the proposed circuit compared to the conventional CMOS array multiplier. Particularly, from the SPECTRE simulation of the proposed hybrid circuit with 0.13-mm CMOS devices and memristors, this proposed multiplier is estimated to have better power-delay product by 48% compared to the conventional CMOS array multiplier. In addition to this improvement in energy efficiency, this 4-bit multiplier circuit can occupy smaller area than the conventional array multiplier, because each cross-point memristor can be made only as small as 4F2.

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      참고문헌 (Reference)

      1 D. B. Strukov, "The missing memristor found" 453 : 80-83, 2008

      2 최준명, "PCB에 구현한 멤리스터 에뮬레이터 회로 및 응용" 한국전기전자학회 17 (17): 324-331, 2013

      3 L. O. Chua, "Memristor-the missing circuit element" 18 : 507-519, 1971

      4 S. J. Ham, "Low-power VDD/3 write scheme with inversion coding circuit for complementary memristor array" 12 (12): 851-857, 2013

      5 "International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) in 2011"

      6 C. Kügeler, "High density 3D memory architecture based on the resistive switching effect" 53 (53): 1287-1292, 2009

      7 A. Flocke, "Fundamental analysis of resistive nanocrossbars for the use in hybrid nano/CMOS-memory" 328-331, 2007

      8 J. Liang, "Cross-point memory array without cell selectors-device characteristics and data storage pattern dependencies" 57 (57): 2531-2538, 2010

      9 C. J. Chevallier, "A 0.13 μm 64Mb multi-layered conductive metal-oxide memory" 260-261, 2010

      1 D. B. Strukov, "The missing memristor found" 453 : 80-83, 2008

      2 최준명, "PCB에 구현한 멤리스터 에뮬레이터 회로 및 응용" 한국전기전자학회 17 (17): 324-331, 2013

      3 L. O. Chua, "Memristor-the missing circuit element" 18 : 507-519, 1971

      4 S. J. Ham, "Low-power VDD/3 write scheme with inversion coding circuit for complementary memristor array" 12 (12): 851-857, 2013

      5 "International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) in 2011"

      6 C. Kügeler, "High density 3D memory architecture based on the resistive switching effect" 53 (53): 1287-1292, 2009

      7 A. Flocke, "Fundamental analysis of resistive nanocrossbars for the use in hybrid nano/CMOS-memory" 328-331, 2007

      8 J. Liang, "Cross-point memory array without cell selectors-device characteristics and data storage pattern dependencies" 57 (57): 2531-2538, 2010

      9 C. J. Chevallier, "A 0.13 μm 64Mb multi-layered conductive metal-oxide memory" 260-261, 2010

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      2017-01-01 평가 등재학술지 선정 (계속평가) KCI등재
      2016-01-01 평가 등재후보학술지 유지 (계속평가) KCI등재후보
      2015-12-01 평가 등재후보로 하락 (기타) KCI등재후보
      2011-01-01 평가 등재 1차 FAIL (등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2006-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2005-10-17 학술지명변경 외국어명 : 미등록 -> Journal of IKEEE KCI등재후보
      2005-05-30 학술지등록 한글명 : 전기전자학회논문지
      외국어명 : 미등록
      KCI등재후보
      2005-03-25 학회명변경 한글명 : (사) 한국전기전자학회 -> 한국전기전자학회
      영문명 : 미등록 -> Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers
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      2005-01-01 평가 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) KCI등재후보
      2004-01-01 평가 등재후보 1차 FAIL (등재후보1차) KCI등재후보
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      학술지 인용정보

      학술지 인용정보
      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.3 0.3 0.29
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.24 0.22 0.262 0.17
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