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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      An integrated low power highly linear 2.4-GHz CMOS receiver front-end based on current amplification and mixing

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      https://www.riss.kr/link?id=A107623135

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      A low power 2.4-GHz complementary metal oxide semiconductor (CMOS) receiver front-end using highly linear mixer based on current amplification and mixing is reported. In the proposed mixer, linearity is greatly improved by using current mirror amplifier and transconductance linearization using multiple gated transistors. Single IF direct conversion receiver (DCR) architecture is used to achieve higher level of integration and to relax the problem of DCR. The fully integrated receiver front end is fabricated in 0.18-μm CMOS technology and HP3 of -9 dBm with a gain of 32 dB and noise figure of 6.5 dB are obtained at 8.8 mW power consumption.
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      A low power 2.4-GHz complementary metal oxide semiconductor (CMOS) receiver front-end using highly linear mixer based on current amplification and mixing is reported. In the proposed mixer, linearity is greatly improved by using current mirror amplifi...

      A low power 2.4-GHz complementary metal oxide semiconductor (CMOS) receiver front-end using highly linear mixer based on current amplification and mixing is reported. In the proposed mixer, linearity is greatly improved by using current mirror amplifier and transconductance linearization using multiple gated transistors. Single IF direct conversion receiver (DCR) architecture is used to achieve higher level of integration and to relax the problem of DCR. The fully integrated receiver front end is fabricated in 0.18-μm CMOS technology and HP3 of -9 dBm with a gain of 32 dB and noise figure of 6.5 dB are obtained at 8.8 mW power consumption.

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