1 유승희, 1037-, 2002
2 B. P. Keller, 24 (24): 1707-, 1995
3 E. Woelk, 93 : 216-, 1988
4 B. P. Keller, 24 (24): 1707-, 1995
5 백재상, 76-, 2007
6 I. G. Kwak, 49B (49B): 327-, 2000
7 Y. S. Yang, 26 (26): 367-, 2008
8 양원균, "직류와 양극성 펄스직류에 의한 스퍼터링시 타겟 표면의 온도 분포와 그 영향" 한국진공학회 19 (19): 45-51, 2010
9 "경원테크 user conference"
10 신희연, "Si(111) 기판 위에 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN의 성장 특성에 관한 TEM 분석" 한국표면공학회 36 (36): 2003
1 유승희, 1037-, 2002
2 B. P. Keller, 24 (24): 1707-, 1995
3 E. Woelk, 93 : 216-, 1988
4 B. P. Keller, 24 (24): 1707-, 1995
5 백재상, 76-, 2007
6 I. G. Kwak, 49B (49B): 327-, 2000
7 Y. S. Yang, 26 (26): 367-, 2008
8 양원균, "직류와 양극성 펄스직류에 의한 스퍼터링시 타겟 표면의 온도 분포와 그 영향" 한국진공학회 19 (19): 45-51, 2010
9 "경원테크 user conference"
10 신희연, "Si(111) 기판 위에 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN의 성장 특성에 관한 TEM 분석" 한국표면공학회 36 (36): 2003
11 장경화, "2단계 MOCVD법에 의해 사파이어 기판 위 성장된 undoped GaN 에피박막의 특성에 미치는 고온성장 온도변화의 영향" 한국진공학회 14 (14): 222-228, 2005