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      Optical and Electrical Characterization of AZO Films Grown on c-Plane Sapphire Substrates by Atomic Layer Deposition

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      https://www.riss.kr/link?id=A105873704

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      We investigated the optical and the electrical properties of Al-doped ZnO (AZO) films grown on c-plane sapphire by varying the growth temperature in an atomic layer deposition system. High-resolution xray ω/2θ scans revealed that the (002) peak of t...

      We investigated the optical and the electrical properties of Al-doped ZnO (AZO) films grown on c-plane sapphire by varying the growth temperature in an atomic layer deposition system. High-resolution xray ω/2θ scans revealed that the (002) peak of the AZO film was clearly developed with increasing growth temperature from 115°C to 235°C. From a surface analysis, we found that the surface grain size of the AZO film increased with growth temperature. In addition, the minimal resistivity (1.21 × 10−3 Ω·cm) and the maximum mobility (19.32 cm2/v-s) were obtained at a growth temperature of 195°C, consistent with the results of PL intensity. These results indicate that the electrical and the optical properties of the AZO films were significantly affected by the growth temperature. From the findings of this study, we believe that the electrical and the optical properties of AZO films can be significantly improved by increasing the crystal domain size of AZO films.

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      참고문헌 (Reference)

      1 K. L. Chopra, 102 : 1-, 1983

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      학술지등록 한글명 : Electronic Materials Letters
      외국어명 : Electronic Materials Letters
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      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) KCI등재
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      2009-12-29 학회명변경 한글명 : 대한금속ㆍ재료학회 -> 대한금속·재료학회 KCI등재후보
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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 1.68 0.41 1.08
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.89 0.83 0.333 0.06
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