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      비정질 n형 Si 박막을 이용한 자기터널링 트랜지스터 제작과 특성 = Fabrication and Characteristics of Magnetic Tunneling Transistors using the Amorphous n-Type Si Films

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      https://www.riss.kr/link?id=A101055541

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Magnetic tunneling transistor (MTT) device using the amorphous n-type Si semiconductor film for base and collector consisting of the [CoFe/NiFe](free layer) and Si(top layer) multilayers was used to study the spin-dependent hot electron magnetocurrent (MC) and tunneling magnetoresistance (TMR) at room temperature. A large MC of 40.2 % was observed at the emitter-base bias voltage ( $V_{EB}$ ) of 0.62 V. The increasing emitter hot current and transfer ratio ( $I_{C}$/ $I_{E}$) as $V_{EB}$ are mainly due to a rapid increase of the number of conduction band states in the Si collector. However, above the $V_{EB}$ of 0.62 V, the rapid decrease of MC was observed in amorphous Si-based MTT because of hot electron spin-dependent elastic scattering across CoFe/Si interfaces.
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      Magnetic tunneling transistor (MTT) device using the amorphous n-type Si semiconductor film for base and collector consisting of the [CoFe/NiFe](free layer) and Si(top layer) multilayers was used to study the spin-dependent hot electron magnetocurrent...

      Magnetic tunneling transistor (MTT) device using the amorphous n-type Si semiconductor film for base and collector consisting of the [CoFe/NiFe](free layer) and Si(top layer) multilayers was used to study the spin-dependent hot electron magnetocurrent (MC) and tunneling magnetoresistance (TMR) at room temperature. A large MC of 40.2 % was observed at the emitter-base bias voltage ( $V_{EB}$ ) of 0.62 V. The increasing emitter hot current and transfer ratio ( $I_{C}$/ $I_{E}$) as $V_{EB}$ are mainly due to a rapid increase of the number of conduction band states in the Si collector. However, above the $V_{EB}$ of 0.62 V, the rapid decrease of MC was observed in amorphous Si-based MTT because of hot electron spin-dependent elastic scattering across CoFe/Si interfaces.

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      참고문헌 (Reference)

      1 "절연막층의 플라즈마 산화시간에 따른 CoFe/AlO/CoFe/NiFe 구조의 터널자기저항 효과 연구" 15 (15): 373-, 2002.

      2 "거대 자기저항 소자와 터널 자기저항 소자의 원리와 응용" 14 (14): 3-, 2001.

      3 "Spin-valve transistor with an Fe/Au/Fe" 79 : 1157-, 2001.

      4 "Spin-dependent hot electron trans- port in NiFe and CoFe films on GaAs" 66 : 94417-, 2002.

      5 "Semiconductor Sensors" 249-, 1994.

      6 "Room temperature operation of a high output current magnetic tunnel tran- sistor" 80 (80): 3364-, 2002.

      7 "Relative magneto-current of magnetic tunnel transistors with amorphous n-type Si film" 9 (9): 23-, 2004.

      8 "Perpendicular hot electron spin-valve effect in a new mag- netic field sensor" 74 : 5260-, 1995.

      9 "Nonmonotonic bias voltage depen- dence of the magnetocurrent in GaAs-based magnetic tunnel transistors" 90 (90): 197203-, 2003.

      10 "Materials Science of Thin Films" Academic Press p.357.2002.

      1 "절연막층의 플라즈마 산화시간에 따른 CoFe/AlO/CoFe/NiFe 구조의 터널자기저항 효과 연구" 15 (15): 373-, 2002.

      2 "거대 자기저항 소자와 터널 자기저항 소자의 원리와 응용" 14 (14): 3-, 2001.

      3 "Spin-valve transistor with an Fe/Au/Fe" 79 : 1157-, 2001.

      4 "Spin-dependent hot electron trans- port in NiFe and CoFe films on GaAs" 66 : 94417-, 2002.

      5 "Semiconductor Sensors" 249-, 1994.

      6 "Room temperature operation of a high output current magnetic tunnel tran- sistor" 80 (80): 3364-, 2002.

      7 "Relative magneto-current of magnetic tunnel transistors with amorphous n-type Si film" 9 (9): 23-, 2004.

      8 "Perpendicular hot electron spin-valve effect in a new mag- netic field sensor" 74 : 5260-, 1995.

      9 "Nonmonotonic bias voltage depen- dence of the magnetocurrent in GaAs-based magnetic tunnel transistors" 90 (90): 197203-, 2003.

      10 "Materials Science of Thin Films" Academic Press p.357.2002.

      11 "Fabrication and charac- teristics of magnetic tunnel transistors using the amorphous n-type Si Film" 241 : 1498-, 2004.

      12 "Fabrication and charac- teristics of magnetic tunnel transistors using the amorphous n-type Si Film" 241 : 1498-, 2004.

      13 "Effect of Zr concentration on the micro- structure of Al and the magnetoresistance properties of the magnetic tunnel junction with a Zr-alloyed AlO oxide barrier" 83 (83): 317-, 2003.

      14 "Comparison of magnetocurrent and transfer ratio in magnetic tunnel transistors with spin-valve bases containing Cu and Au spacer layers" 82 (82): 775-, 2003.

      15 "CMOS 공정에 의한 suppressed sidewell injection mag- netotransistor의 특성" 17 (17): 1029-, 2004.

      16 "Applications of magnetic nanostructures" Taylor & Francis Inc Advanced in Condensed Matter Science (3) : 237-, 2002.

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      2008-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2006-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-05-30 학회명변경 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers KCI등재
      2004-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2001-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
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