방사선 검출 효율을 증가시키기 위한 반도체 검출기 제작 및 평가 = Evaluation of Fabricated Semiconductbor Detector for Detection Efficiency

국문 초록 (Abstract)

방사선 종류, 에너지 등 목적에 맞는 방사선 검출을 위해 기체 충전형 검출기, 열형광 검출기, 섬광검출기, 반도체 검출
기, 열량계 등이 이용되고 있으며, 그 중 직접 변환 방식 반도체 검출기는 신호 검출 과정에서 X선 손실량이 적고 디지털화가 가능한 장점이 있다. 본 연구에서는 직접 변환방식 반도체 검출기의 장점을 이용하고, X선 신호 수집량을 더욱 증가시켜 X선 발생 장치의 QA에 적용하고자 반도체 물질에 산화물을 혼합하여 검출기를 제작하고 신호 검출 특성을 평가하였다. 검출기 제작에는, 반도체 물질 HgI2를 산화물과 혼합하여 ITO Glass 위에 면적 3cm², 두께 210μm로 PIB법을 이용해 증착하였고, 건조시킨 검출기의 상부 전극은 진공 증착하여 형성하였다. X선 조사는100mA, 0.03s, 40~140kV로 변형하여 조사하였고, 검출기에 수집된 신호는 Oscilloscope의 파형으로 획득하였다. 제작한 검출기의 신호 특성을 기존
의 HgI2 검출기의 신호 특성과 비교하였다. 실험 결과, 기존의 HgI2 검출기에 비해 제작한 검출기의 검출 효율이 더 높은 것으로 나타났으며, 이러한 결과로써, X선 발생 장치의 QA 시 더욱 정확한 선량 측정이 가능할 것으로 사료된다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

To detect the radiation, many kinds of the detectors are used such as Gas Filled Detector, Thermoluminescence detector and Scintillation counter, Semiconductor detector, Calorimeter. Especially, direct conversion semiconductor detector has the advantages such as low losses of X-ray in the process of signal detection, digitization. In this study, using PIB method, we fabricated the direct conversion semiconductor detector based HgI2 mixed with TiO2 for application to radation QA decive with increased detection efficiency. Using the fabricated the detector, we measured the X-ray signal for the quality assurance in the exposure condition of 40~140kVp, 3mAs. And evaluated electrical properties of the fabricated detector. we compared the experimental data of existing HgI2 detector with the fabricated detector. As a result of the experiment, fabricated detector shows 10% higher sensitivity and SNR than that of the existing data, Based on the results, it is considered that the fabricated detector can be precisely measured as QA of radiation device.

목차 (Table of Contents)

• Ⅰ. 서 론
• Ⅱ. 재료 및 방법
• Ⅲ. 결과 및 고찰
• Ⅳ. 결 론