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    MOSFET Model HiSIM Based on Surface-Potential Description for Enabling Accurate RF-CMOS Design = MOSFET Model HiSIM Based on Surface-Potential Description for Enabling Accurate RF-CMOS Design

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    The origin of the phenomena, obstructing circuit performance in the RF operating regime, as well as their modeling will be discussed. The applied surface-potential-based modeling allows self-consistent description of all phenomena important for accurate circuit simulation, as demonstrated with the MOSFET model HiSIM.<br/>
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    The origin of the phenomena, obstructing circuit performance in the RF operating regime, as well as their modeling will be discussed. The applied surface-potential-based modeling allows self-consistent description of all phenomena important for accura...

    The origin of the phenomena, obstructing circuit performance in the RF operating regime, as well as their modeling will be discussed. The applied surface-potential-based modeling allows self-consistent description of all phenomena important for accurate circuit simulation, as demonstrated with the MOSFET model HiSIM.<br/>

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    목차 (Table of Contents)

    • Abstract
    • Ⅰ. INTRODUCTION
    • Ⅱ. MODELING OF BASIC MOSFET CHARACTERISTICS
    • Ⅲ. SMALL-SIGNAL ANALYSIS
    • Ⅳ. LARGE-SIGNAL ANALYSIS
    • Abstract
    • Ⅰ. INTRODUCTION
    • Ⅱ. MODELING OF BASIC MOSFET CHARACTERISTICS
    • Ⅲ. SMALL-SIGNAL ANALYSIS
    • Ⅳ. LARGE-SIGNAL ANALYSIS
    • Ⅴ. SUMMARY AND CONCLUSIONS
    • REFERENCES
    • 저자소개
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