LED 칩 제조용 사파이어 웨이퍼 절단을 위한 내부 레이저 스크라이빙 가공 특성 분석|RISS 상세보기

국문 초록 (Abstract)

스크라이빙 공정은 LED 칩 생성을 위한 절단 공정으로 칩의 특성 및 생산량을 결정하는 중요한 공정이다. 기존의 기계적 방식 및 레이저 방식의 스크라이빙 공정은 칩의 열 변형 및 강도 저하, 절단 영역의 제한 등의 문제점이 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 웨이퍼 내부에 공극을 생성하여 자가 균열을 유도하는 내부 레이저 스크라이빙 공정이 연구되고 있으 나 LED 칩 제작을 위한 사파이어 웨이퍼의 절단에 대한 연구는 미비한 실정이다. 본 논문은 LED 칩 제작에 사용되는 사파이 어 웨이퍼의 내부 레이저 스크라이빙 공정을 적용하기 위해 주요 가공 변수를 정립하고 가공 실험을 통하여 절단 특성을 분석함으로써 내부 레이저 스크라이빙 시스템 구축을 위한 기초 가공 조건을 확립하였다.

번역하기

스크라이빙 공정은 LED 칩 생성을 위한 절단 공정으로 칩의 특성 및 생산량을 결정하는 중요한 공정이다. 기존의 기계적 방식 및 레이저 방식의 스크라이빙 공정은 칩의 열 변형 및 강도 저하...

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Scribing is cutting process to determine production amount and characteristic of LED chip. So it is an important process for fabrication of LED chip. Mechanical process and conventional scribing process with laser source has several problems such as thermal deformation, decreasing of material strength and limitation of cutting region. To solve these problems, internal laser scribing process that generates void in wafer and derives self-crack has been researched. However, studies of sapphire wafer cutting by internal laser scribing process for fabrication of LED chip are still insufficient. In this paper, cutting parameters were determined to apply internal laser scribing process for sapphire wafer for fabrication of LED chip. Then, foundation of cutting condition was established to set up internal laser scribing system through investigation of cutting characteristics by several experiments.

번역하기

참고문헌 (Reference)

1 T. Monodane, "Thermo-Elastic-Plastic Analysis on Internal Processing Phenomena of Single-Crystal Silicon by Nanosecond Laser" 1 (1): 231-235, 2006

2 F. Fukuyo, "Stealth Dicing Technology and Applications" 1-7, 2005

3 J. Choi, "Increase of ablation rate using burst mode femtosecond pulses" Optical Society of America 2007

4 D. Karnakis, "High throughput scribing for the manufacture of LED components" B 24 : 2852-2856, 2006

5 R. Paetzel, "Excimer Laser Processing and Laser-Lift-Off of High Brightness LEDs"

6 S. Rezaei, "Burst-Train Generation for Femtosecond Laser Filamentation-driven micromachining" University of Toronto 2011

7 E. Ohmura, "Analysis of Processing Mechanism in Stealth Dicing of Ultra Thin Silicon Wafer" 2 (2): 540-549, 2008

8 E. Ohmura, "Analysis of Internal Crack Propagatio in Silicon Due to Permeable Pulse Laser Irradiation: Study on Processing Mechanism of Stealth Dicing" A1 : 46-52, 2006