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      Effects of Photon Energy Spectrum on the Photocurrent of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Transistor by Using Frequency Filters

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      Frequency filters with various filtering wavelengths were used in the photoelectric characterization of hydrogenated amorphous silicon thin film transistor (a-Si:H TFT) and the experimental results were described and analyzed in terms of the photon energy spectral characteristics calculated from the integration of the photon energy and the spectral intensity of transmitted backlight through the filters at each wavelength. From the comparison of the photocurrents and the calculated photon energy spectrums for the filtered ranges of wavelength, it was possible to conclude that the photocurrents are closely related to the photon energy spectrums of the backlight.
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      Frequency filters with various filtering wavelengths were used in the photoelectric characterization of hydrogenated amorphous silicon thin film transistor (a-Si:H TFT) and the experimental results were described and analyzed in terms of the photon en...

      Frequency filters with various filtering wavelengths were used in the photoelectric characterization of hydrogenated amorphous silicon thin film transistor (a-Si:H TFT) and the experimental results were described and analyzed in terms of the photon energy spectral characteristics calculated from the integration of the photon energy and the spectral intensity of transmitted backlight through the filters at each wavelength. From the comparison of the photocurrents and the calculated photon energy spectrums for the filtered ranges of wavelength, it was possible to conclude that the photocurrents are closely related to the photon energy spectrums of the backlight.

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      참고문헌 (Reference)

      1 S. Y. Yoo, 1121-, 2005

      2 S. Kido, 2005-, 2005

      3 C.-Y. Liang, 27 : 978-, 2006

      4 Y. J. Choi, 266 : 1299-, 2000

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      7 M. J. Powell, 36 : 2753-, 1989

      8 E. S. Yang, "Microelectronics Devices" McGraw-Hill 1994

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      7 M. J. Powell, 36 : 2753-, 1989

      8 E. S. Yang, "Microelectronics Devices" McGraw-Hill 1994

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      2006-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2005-05-30 학회명변경 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers KCI등재후보
      2005-05-30 학술지명변경 한글명 : Transactions on Electrical and Electroni -> Transactions on Electrical and Electronic Materials KCI등재후보
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      2016 0.08 0.08 0.1
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.1 0.11 0.239 0.07
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