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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω
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      게이트를 상정한 니켈 코발트 복합실리사이드 박막의 물성연구 = Characteristics of Ni/Co Composite Silicides for Poly-silicon Gates

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      We fabricated Ni/Co(or Co/Ni) composite silicide layers on the non-patterned wafers from Ni(20 nm)/Co(20 nm)/poly-Si(70 nm) structure by rapid thermal annealing of $700{\~}1100^{\circ}C$ for 40 seconds. The sheet resistance, cross-sectional microstructure, and surface roughness were investigated by a four point probe, a field emission scanning electron microscope, and a scanning probe microscope, respectively. The sheet resistance increased abruptly while thickness decreased as silicidation temperature increased. We propose that the poly silicon inversion due to fast metal diffusion lead to decrease silicide thickness. Our results imply that we should consider the serious inversion and fast transformation in designing and process f3r the nano-height fully cobalt nickel composite silicide gates.
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      We fabricated Ni/Co(or Co/Ni) composite silicide layers on the non-patterned wafers from Ni(20 nm)/Co(20 nm)/poly-Si(70 nm) structure by rapid thermal annealing of $700{\~}1100^{\circ}C$ for 40 seconds. The sheet resistance, cross-sectional microstruc...

      We fabricated Ni/Co(or Co/Ni) composite silicide layers on the non-patterned wafers from Ni(20 nm)/Co(20 nm)/poly-Si(70 nm) structure by rapid thermal annealing of $700{\~}1100^{\circ}C$ for 40 seconds. The sheet resistance, cross-sectional microstructure, and surface roughness were investigated by a four point probe, a field emission scanning electron microscope, and a scanning probe microscope, respectively. The sheet resistance increased abruptly while thickness decreased as silicidation temperature increased. We propose that the poly silicon inversion due to fast metal diffusion lead to decrease silicide thickness. Our results imply that we should consider the serious inversion and fast transformation in designing and process f3r the nano-height fully cobalt nickel composite silicide gates.

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      참고문헌 (Reference)

      1 "the international technology roadmap for semiconductors" 2001

      2 "Formation and stability of silicides on polycrystalline silicon" 16 : 43-, 1996

      3 "D.-L. Kwong" 22 (22): 444-, 2003

      4 "Characterization of Composite Silicide obtained from NiCo-Alloy Films" 14 (14): 846-, 2004

      1 "the international technology roadmap for semiconductors" 2001

      2 "Formation and stability of silicides on polycrystalline silicon" 16 : 43-, 1996

      3 "D.-L. Kwong" 22 (22): 444-, 2003

      4 "Characterization of Composite Silicide obtained from NiCo-Alloy Films" 14 (14): 846-, 2004

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      2018-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2015-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2011-06-28 학술지명변경 한글명 : 마이크전자 및 패키징학회지 -> 마이크로전자 및 패키징학회지
      외국어명 : The Microelectronics and Packaging Society -> Jornal of the Microelectronics and Packaging Society      		 KCI등재
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재 1차 FAIL (등재유지) KCI등재
      2007-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2004-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2003-01-01 평가 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) KCI등재후보
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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.48 0.48 0.43
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.39 0.35 0.299 0.35
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