A Study On the Retention Time Distribution with Plasma Damage Effect = 플라즈마 손상영향에 따른 보유시간분포 개선에 관한 연구

국문 초록 (Abstract)

데이터 보유 시간 조정은 차세대 고밀도 DRAM에 있어서 중요한 문제이다. 여기에는 다음과 같이 데이터가 소실되는 여러 가지의 전류 메커니즘이 있는데 1) 접합부분에서의 접합누설전류, 2) 커패시터 노드 콘텍으로 부터의 접합 누설전류, 3) 전달 트랜지스터에서의 Sub-threshold 누설 전류 등이 있다.
본 논문에서는 데이터 보유시간의 영향을 알아보기 위해 플라즈마 에지 손상 영향에 대해 다루었다. 먼저 순방향, 역방향 바이어스를 가해 트랜지스터의 특성을 측정하였다. 그리고 HP4145 측정기로 플라즈마 손상의 유,무에 따른 접합전류 특성을 측정하였다. 마지막으로 손상에 따른 TRET, 손상을 보상하기 위한 RTP처리, 수소_처리에 따른 특성을 비교하였다. 그 결과 수소_처리를 한 방법이 플라즈마 식각 손상 보상 측면에서 가장 우수하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

The control of the data retention time is a main issue for realizing future high density dynamic random access memory. There are several leakage current mechanisms in which the stored data disappears. The mechanisms of data disappear is as follow, 1)Junction leakage current between the Junction, 2) Junction leakage current from the capacitor node contact, 3)Sub-threshold leakage current if the transfer transistor is affected by gate etch damage etc.
In this paper we showed the plasma edge damage effect to find out data retention time effectiveness First we measured the transistor characteristics of forward and reverse bias And junction leakage characteristics are measured with/without plasma damage by HP4145 Finally, we showed the comparison TRET with etch damage, damage_cure_RTP and hydrogen_treatment As a result, hydrogen_treatment is superior than any other method in a curing plasma etch damage side