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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      Single Crystal Growth of Bi2Ga4O9 and Its High Temperature Transport Behavior

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      https://www.riss.kr/link?id=A108968438

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      Mullite-structured Bi2Ga4O9 has an open-channeled structure and allows substitution of divalent cation in bismuth sites, which is suitable for electrochemical devices. In this paper, we present details of single crystal growth and real-time transport either in reduction and oxidation condition at 600 ◦C. Chemical and structural analysis confirm the single phased Bi2Ga4O9. Also, rocking curve result shows high crystallinity. In addition, we performed the high temperature transport in different gas environments. The results indicate oxygen-vacancy-driven modulation in transport behavior in Bi2Ga4O9 single crystal.
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      Mullite-structured Bi2Ga4O9 has an open-channeled structure and allows substitution of divalent cation in bismuth sites, which is suitable for electrochemical devices. In this paper, we present details of single crystal growth and real-time transport ...

      Mullite-structured Bi2Ga4O9 has an open-channeled structure and allows substitution of divalent cation in bismuth sites, which is suitable for electrochemical devices. In this paper, we present details of single crystal growth and real-time transport either in reduction and oxidation condition at 600 ◦C. Chemical and structural analysis confirm the single phased Bi2Ga4O9. Also, rocking curve result shows high crystallinity. In addition, we performed the high temperature transport in different gas environments. The results indicate oxygen-vacancy-driven modulation in transport behavior in Bi2Ga4O9 single crystal.

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