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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      Effects of Carrier Concentration, Indium Content, and Crystallinity on the Electrical Properties of Indium-Tin-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors

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      https://www.riss.kr/link?id=A107669247

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      <P>We report the effects of carrier concentration (NCH), indium (In) content, and crystallinity (X<SUB>c</SUB>) on the electrical properties of indium-tin-zinc-oxide (ITZO) thin-film transistors (TFTs). The ITZO TFT with the lowest N...

      <P>We report the effects of carrier concentration (NCH), indium (In) content, and crystallinity (X<SUB>c</SUB>) on the electrical properties of indium-tin-zinc-oxide (ITZO) thin-film transistors (TFTs). The ITZO TFT with the lowest NCH, In content, and amorphous phase at the optimized oxygen flow rate has high field-effect mobility a (μ<SUB>FE</SUB>) of 37.2 cm<SUP>2</SUP>/V·s, high ON/OFF current ratio (I<SUB>ON</SUB>/I<SUB>OFF</SUB>) of ~ 1×10<SUP>7</SUP>, and low subthreshold swing (S.S) of 0.93. With increasing NCH, In content, and X<SUB>c</SUB>, μ<SUB>FE</SUB>, I<SUB>ON</SUB>/I<SUB>OFF</SUB>, and S.S surprisingly degraded to 14.4 cm<SUP>2</SUP>/V·s, ~ 4×10<SUP>4</SUP>, and 4.01, respectively. Our high ITZO TFTs with μ<SUB>FE</SUB> of 37.2 cm<SUP>2</SUP>/V·s, obtained thorough control of the N<SUB>CH</SUB>, In content, and X<SUB>c</SUB>, was suitable for application to next generation ultrahigh resolution displays as well as high frame rate displays.</P>

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