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あ ぁ か が さ ざ た だ な は ば ぱ ま や ゃ ら わ ゎ ん い ぃ き ぎ し じ ち ぢ に ひ び ぴ み り う ぅ く ぐ す ず つ づ っ ぬ ふ ぶ ぷ む ゆ ゅ る え ぇ け げ せ ぜ て で ね へ べ ぺ め れ お ぉ こ ご そ ぞ と ど の ほ ぼ ぽ も よ ょ ろ を
ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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ㅥ ㅦ ㅧ ㅨ ㅩ ㅪ ㅫ ㅬ ㅭ ㅮ ㅯ ㅰ ㅱ ㅲ ㅳ ㅴ ㅵ ㅶ ㅷ ㅸ ㅹ ㅺ ㅻ ㅼ ㅽ ㅾ ㅿ ㆀ ㆁ ㆂ ㆃ ㆄ ㆅ ㆆ ㆇ ㆈ ㆉ ㆊ ㆋ ㆌ ㆍ ㆎ
Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω
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А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я а б в г д е ё ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ ъ ы ь э ю я
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§ ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
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      Enhanced Performance of Solution‐Processed TESPE‐ADT Thin‐Film Transistors

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      https://www.riss.kr/link?id=A107685490

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

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      <P><B>Abstract</B></P><P>A solution‐processed anthradithiophene derivative, 5,11‐bis(4‐triethylsilylphenylethynyl)anthradithiophene (TESPE‐ADT), is studied for use as the semiconducting material in thin‐film transistors (TFTs). To enhance the electrical performance of the devices, two different kinds of solution processing (spin‐coating and drop‐casting) on various gate dielectrics as well as additional post‐treatment are employed on thin films of TESPE‐ADT, and <I>p</I>‐channel OTFT transport with hole mobilities as high as ∼0.12 cm<SUP>2</SUP> V<SUP>−1</SUP> s<SUP>−1</SUP> are achieved. The film morphologies and formed microstructures of the semiconductor films are characterized in terms of film processing conditions and are correlated with variations in device performance.</P>
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      <P><B>Abstract</B></P><P>A solution‐processed anthradithiophene derivative, 5,11‐bis(4‐triethylsilylphenylethynyl)anthradithiophene (TESPE‐ADT), is studied for use as the semiconducting material in...

      <P><B>Abstract</B></P><P>A solution‐processed anthradithiophene derivative, 5,11‐bis(4‐triethylsilylphenylethynyl)anthradithiophene (TESPE‐ADT), is studied for use as the semiconducting material in thin‐film transistors (TFTs). To enhance the electrical performance of the devices, two different kinds of solution processing (spin‐coating and drop‐casting) on various gate dielectrics as well as additional post‐treatment are employed on thin films of TESPE‐ADT, and <I>p</I>‐channel OTFT transport with hole mobilities as high as ∼0.12 cm<SUP>2</SUP> V<SUP>−1</SUP> s<SUP>−1</SUP> are achieved. The film morphologies and formed microstructures of the semiconductor films are characterized in terms of film processing conditions and are correlated with variations in device performance.</P>

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