본 논문은 절화갈륨 전력 소자를 이용한 이동통신 시스템용 전력증폭기 모듈에 대하여 기술하고 있다. 전치 증폭단, 구동증폭단, 그리고 전력증폭단을 각각 설계, 제작하여 그 성능을 측정...
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2008
Korean
KCI등재
학술저널
1193-1200(8쪽)
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본 논문은 절화갈륨 전력 소자를 이용한 이동통신 시스템용 전력증폭기 모듈에 대하여 기술하고 있다. 전치 증폭단, 구동증폭단, 그리고 전력증폭단을 각각 설계, 제작하여 그 성능을 측정...
본 논문은 절화갈륨 전력 소자를 이용한 이동통신 시스템용 전력증폭기 모듈에 대하여 기술하고 있다. 전치 증폭단, 구동증폭단, 그리고 전력증폭단을 각각 설계, 제작하여 그 성능을 측정하고, 이를 바탕으로 통합 모듈을 설계 하여 5Watt급 GaN 전력증폭기 모듈을 완성하였다. 하모닉 자단과 ACP를 개선하기 위하여 출력측에 결함접지구소를 삼입하였다. 개발된 질화갈륨 전력증폭기의 성능을 측정한 결과, 2.1㎓대역에서 58㏈ 이상의 이득, 37㏈m 이상의 출력,50㏈c 이상의 하모닉 차단, 2-tone 입력시 35㏈c 이상의 1D특성, 그리고 35㏈C 이상의 ACP 특성을 얻었다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
This paper describes a developed 5Watt power amplifier module for mobile communication system using Gallium Nitride (GaN) devices. Three amplification stages such as pre-amplifier, driver amplifier, and power amplifier have been fabricated and measure...
This paper describes a developed 5Watt power amplifier module for mobile communication system using Gallium Nitride (GaN) devices. Three amplification stages such as pre-amplifier, driver amplifier, and power amplifier have been fabricated and measured separately in advance for incorporating the total power amplifier module and estimating the performances. In addition, a defected ground structure is combined with the output stage of the power amplifier module for improving harmonic rejection and adjacent channel power (ACP) characteristics. The measured performances of the GaN power amplifier module include 58㏈,min of gain, 37㏈m,min of output power, 50㏈c,min of harmonic rejection, 35㏈c,min of IMD3 for 2-tone input, and 35㏈c,min of ACP at 2.I㎓ frequency band.
참고문헌 (Reference)
1 S. C. Cripps, "RF Power Amplfiers for Wirless Communications" Artech House 2006
2 J. S. Lim, "Improvement in Performance of Power Amplifiers by Defected Ground Structure" 87 (87): 52-59, 2004
3 John L.B. Walker, "High Power GaAs FET Amplifier" ARTECH HOUSE 1993
4 Hidenori Shimawaki, "GaN-based FETs for Microwave High-Power Applications" 377-380, 2005
5 K. Joshin, "A 174 W high-efficiency GaN HEMT Power Amplifier for W-CDMA base station applications" 2003 IEEE IEDM. 633-636, 2001
6 Shoichi Narahashi, "2-GHz Band Cryogenically-Cooled GaN HEMT Amplifier for Mobile Base Station Receivers" EUMA Proceedings 399-402, 2007
7 W. Nagy, "150W GaN-on-Si RF Power Transistor" IEEE MTT-S Int. Microwave Symposium Digest 483-486, 2005
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4 Hidenori Shimawaki, "GaN-based FETs for Microwave High-Power Applications" 377-380, 2005
5 K. Joshin, "A 174 W high-efficiency GaN HEMT Power Amplifier for W-CDMA base station applications" 2003 IEEE IEDM. 633-636, 2001
6 Shoichi Narahashi, "2-GHz Band Cryogenically-Cooled GaN HEMT Amplifier for Mobile Base Station Receivers" EUMA Proceedings 399-402, 2007
7 W. Nagy, "150W GaN-on-Si RF Power Transistor" IEEE MTT-S Int. Microwave Symposium Digest 483-486, 2005
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학술지 이력
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2026 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | |
2017-07-01 | 평가 | 등재후보로 하락(현장점검) (기타) | |
2017-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | |
2007-08-28 | 학술지등록 | 한글명 : 한국산학기술학회논문지외국어명 : Journal of Korea Academia-Industrial cooperation Society | |
2007-07-06 | 학회명변경 | 영문명 : The Korean Academic Inderstrial Society -> The Korea Academia-Industrial cooperation Society | |
2007-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | |
2005-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) |
학술지 인용정보
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.68 | 0.68 | 0.68 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.66 | 0.61 | 0.842 | 0.23 |