RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      KCI등재 SCI SCIE SCOPUS

      SEU Measurements of Memory Chips for the Langmuir Probe on STSAT-2

      한글로보기

      https://www.riss.kr/link?id=A104319102

      • 0

        상세조회
      • 0

        다운로드
      서지정보 열기
      • 내보내기
      • 내책장담기
      • 공유하기
      • 오류접수

      부가정보

      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      We have measured the single event effect (SEE) of candidate memory chips for a Langmuir probe, one of the secondary payloads of STSAT-2 (Science and Technology Satellite-2). The measurements were performed using the cyclotron proton accelerator at Korea Institute of Radiological and Medical Sciences. An ion chamber detector was used for the calibration of the flux of the proton beam. SEU (single event upset) cross-sections for 3 different kinds of memory chips were derived according to the incident proton energy. The SEU rate at the STSAT-2 orbit environment was estimated from the SEU cross-section and the modeled particle flux. The program memory chip for the flight model was selected from the candidates.
      번역하기

      We have measured the single event effect (SEE) of candidate memory chips for a Langmuir probe, one of the secondary payloads of STSAT-2 (Science and Technology Satellite-2). The measurements were performed using the cyclotron proton accelerator at Kor...

      We have measured the single event effect (SEE) of candidate memory chips for a Langmuir probe, one of the secondary payloads of STSAT-2 (Science and Technology Satellite-2). The measurements were performed using the cyclotron proton accelerator at Korea Institute of Radiological and Medical Sciences. An ion chamber detector was used for the calibration of the flux of the proton beam. SEU (single event upset) cross-sections for 3 different kinds of memory chips were derived according to the incident proton energy. The SEU rate at the STSAT-2 orbit environment was estimated from the SEU cross-section and the modeled particle flux. The program memory chip for the flight model was selected from the candidates.

      더보기

      참고문헌 (Reference)

      1 J. J. Lee., 32 : 13106-, 2005

      2 Y. H. Shin, 46 : 1586-, 1999

      3 W. J. Stapor, 37 : 1966-, 1990

      4 Sung-Joon Kim, "Use of a MOSFET for Radiation Monitoring in Space and Comparison with the NASA Trapped Particle Model" 한국물리학회 48 (48): 865-869, 2006

      5 H. S. Kim, "Total Ionizing Dose Effects in MOS Devices for Different Radiation Sources" 한국물리학회 45 (45): 820-823, 2004

      6 Kwangsun Ryu, "Simulation and Ground Test for the Total Ionizing Dose Effects of STSAT-2" 한국물리학회 50 (50): 1552-1556, 2007

      7 M.H. Moon, "Proton Beam Profile Monitoring by Using a GSO (Gd2SiO5) Crystal" 한국물리학회 50 (50): 1566-1569, 2007

      1 J. J. Lee., 32 : 13106-, 2005

      2 Y. H. Shin, 46 : 1586-, 1999

      3 W. J. Stapor, 37 : 1966-, 1990

      4 Sung-Joon Kim, "Use of a MOSFET for Radiation Monitoring in Space and Comparison with the NASA Trapped Particle Model" 한국물리학회 48 (48): 865-869, 2006

      5 H. S. Kim, "Total Ionizing Dose Effects in MOS Devices for Different Radiation Sources" 한국물리학회 45 (45): 820-823, 2004

      6 Kwangsun Ryu, "Simulation and Ground Test for the Total Ionizing Dose Effects of STSAT-2" 한국물리학회 50 (50): 1552-1556, 2007

      7 M.H. Moon, "Proton Beam Profile Monitoring by Using a GSO (Gd2SiO5) Crystal" 한국물리학회 50 (50): 1566-1569, 2007

      더보기

      동일학술지(권/호) 다른 논문

      동일학술지 더보기

      더보기

      분석정보

      View

      상세정보조회

      0

      Usage

      원문다운로드

      0

      대출신청

      0

      복사신청

      0

      EDDS신청

      0

      동일 주제 내 활용도 TOP

      더보기

      주제

      연도별 연구동향

      연도별 활용동향

      연관논문

      연구자 네트워크맵

      공동연구자 (7)

      유사연구자 (20) 활용도상위20명

      인용정보 인용지수 설명보기

      학술지 이력

      학술지 이력
      연월일 이력구분 이력상세 등재구분
      2023 평가예정 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가)
      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) KCI등재
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2007-01-01 평가 SCI 등재 (등재유지) KCI등재
      2005-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2002-07-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2000-01-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
      더보기

      학술지 인용정보

      학술지 인용정보
      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.47 0.15 0.31
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.26 0.2 0.26 0.03
      더보기

      이 자료와 함께 이용한 RISS 자료

      나만을 위한 추천자료

      해외이동버튼