Perpendicular magnetic tunnel junction and its application in magnetic random access memory|RISS 상세보기

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アァカサザタダナハバパマヤャラワヮンイィキギシジチヂニヒビピミリウゥクグスズツヅッヌフブプムユュルエェケゲセゼテデヘベペメレオォコゴソゾトドノホボポモヨョロヲ ―

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예시)

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ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ

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저자

Hou-Fang, L. ; Ali, S.S. ; Xiu-Feng, H.
발행기관

IOP PUBLISHING
학술지명
CHINESE PHYSICS B
권호사항

Vol.23 No.7 [2014]
발행연도
2014년
작성언어
eng
Print ISSN
1674-1056
Online ISSN
2058-3834
등재정보
SCOPUS;SCIE
자료형태
학술저널
원정보자원
CHINESE PHYSICS B
수록면
077501 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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