構造主義와 現代學問의 構造 : 敎育的 意義의 探索을 위한

국문 초록 (Abstract)

Cu는 Si 초고집적 회로의 상부배선용 물질로 주목받고 있다. Cu 확산 방지능을 지닌 TiN박막을 반응성 스퍼터링법으로 (100)Si 기판 위에 성장하였다. Cu 박막은 Cu-CVD법으로 TiN/Si 기판 위에 증착 하였다. 준비된 시료에 급속 열처리를 수행한후, Cu 확산 방지막의 열적 안정성을 조사하였다. 500℃에서 열처리 하였을 때 Cu 박막의 표편 거칠기가 개선되었다. 비저항도 1.65Ω㎝로 양호한 결과를 보이며 TiN가 Cu확산의 방지막으로 효과적인 기능을 수행하고 있다. Cu가 TiN 박막층을 통하여 기판표면의 Si와 반응하여 Cu-Siliside를 생성하는 것을 알았다. Cu 확산에 따른 TiN 박막층의 구조변화가 Cu/TiN/Si 박막의 전기적 특성을 저하시키는 원인으로 사료된다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Cu is an attractive material for interconnects in Si ULSl devices applications. TiN was deposited on (100) Si wafer using a reactive sputtering technique. Cu films were grown on TiN/Si substrates by Cu-CVD(chemical vapor deposition). In this study, Rapid Thermal Annealing(RTA) was carried out on Cu/TiN/Si films. The thermal stability indispensable for a barrier against Cu was then investigated using sheet resistance measurement, Surface roughness of the film was reformed from RTA carried out at 500℃. Surface resistivity was found to be 1.65Ω㎝. From these observations, it was confirmed that the TiN layer acted effectively as a brooking barrier for the diffusion of Cu atoms, It has been concluded that Cu atoms move through TiN layer and react with Si atoms from the substrate forming Cu-Siliside at the TiN/Si interface. The structure change of TiN layer accompanying with Cu diffusion has degraded the electric properties of the film.

목차 (Table of Contents)

• 1. 序言
• 2. 學問의 構造
• 1) Le‘vi-Strauss와 人類學
• 2) Jean Piaget와 心理學
• 3) J.J. Schwab와 自然科學
• 4) J.S. Bruner와 數學
• 5) Noam Chomsky와 言語學
• 3. 敎育的 意義
• 《參考文獻》