物理電子工學 : 半導體工學

목차 (Table of Contents)

• 목차
• 1. 物性論의 基礎
• 1-1 하전입자 = 11
• 1-2 쿨롱의 법칙 = 14
• 1-3 전자볼트(eV : electron Volt) = 16
• 1-4 전계와 전위 = 16
• 1-5 전자의 가속도운동 = 18
• 1-6 전자의 등가속도운동 = 19
• 1-7 양자론의 개요 = 20
• 1-8 입자의 파동성 = 21
• 1-9 빛의 입자성 = 27
• 1-10 Bohr의 원자모형 = 32
• 1-11 원자의 에너지 준위 = 36
• 1-12 Pauli 배타율과 전자의 양자수 = 38
• 1-13 고체의 대이론 = 41
• 2. 結晶과 結晶構造
• 2-1 결정의 정의 = 49
• 2-2 공간격자의 종류 = 50
• 2-3 격자방향과 격자면 = 53
• 2-4 물질의 결정구조 = 54
• 2-5 결정구조의 해석 = 57
• 2-6 결정의 불완정성 = 59
• 3. 金屬의 電子狀態
• 3-1 물질파 = 63
• 3-2 포텐셜 상자내의 전자 = 64
• 3-3 Fermi-Dirac 분포 = 68
• 3-4 자유전자의 분포 = 73
• 3-5 금속의 도전 현상 = 75
• 3-6 전자방출 = 78
• 4. 半導體의 電子狀態
• 4-1 반도체 재료 = 83
• 4-2 고체의 전기전도 = 84
• 4-3 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) = 84
• 4-4 전기 전도도 = 90
• 4-5 반도체 전자의 에너지 대 = 92
• 4-6 반도체의 전자와 정공 밀도 = 97
• 4-7 진성 반도체 = 101
• 4-8 외인성 반도체 = 103
• 4-9 N형 반도체 = 105
• 4-10 P형 반도체 = 108
• 4-11 열평형 상태의 Carrier 밀도 = 110
• 4-12 불순물이 많은 반도체 = 112
• 5. 半導體의 電氣傳導
• 5-1 드리프트 이동도 = 117
• 5-2 격자산란 = 119
• 5-3 불순물의 산란 = 122
• 5-4 이동도 측정법 = 123
• 5-5 홀 효과(Hall effect) = 124
• 5-6 전기 전도도 = 126
• 5-7 확산운동 = 128
• 5-8 Einstein의 관계식 = 130
• 5-9 연속의 식 = 131
• 5-10 소수 캐리어의 열생성과 재결합 = 133
• 6. pn 接合
• 6-1 pn 접합의 제작 = 143
• 6-2 pn 접합 = 144
• 6-3 pn 접합 다이오드 = 154
• 6-4 pn 접합 다이오드의 전류의 크기 = 157
• 6-5 다이오드의 접합용량 = 163
• 6-6 확산형 pn 접합 = 168
• 6-7 pn 접합 다이오드의 정특성 = 172
• 6-8 pn 접합 다이오드의 온도 특성 = 173
• 6-9 pn 접합 다이오드의 저항 = 175
• 6-10 pn 접합의 절연파괴현상 = 176
• 6-11 다이오드의 실제구조 = 180
• 7. 金屬과 半導體의 接合
• 7-1 숏트키 장벽 = 185
• 7-2 숏트기 장벽 다이오드 = 188
• 7-3 오옴성 접촉 = 193
• 7-4 금속-절연체-반도체 구조 = 195
• 8. 接合 트랜지스터
• 8-1 접합형 트랜지스터의 구조 = 199
• 8-2 바이폴라 트랜지스터 = 200
• 8-3 트랜지스터의 작용 = 205
• 8-4 전류증폭률의 결정요소 = 209
• 8-5 접지형식과 특성 = 211
• 8-6 트랜지스터의 등가회로 = 219
• 8-7 트랜지스터의 주파수 특성 = 225
• 8-8 실제의 트랜지스터 특성 = 227
• 8-9 트랜지스터의 최대 정격 = 237
• 8-10 트랜지스터의 전력 손실 = 238
• 9. 電界效果 트랜지스터
• 9-1 접합형 전계효과 트랜지스터 = 243
• 9-2 소자의 특성 = 250
• 9-3 등가회로와 주파수 특성 = 258
• 9-4 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET) = 261
• 9-5 MOSFET의 동작 = 274
• 9-6 주파수특성(frequency characteristics) = 285
• 9-7 CMOS(Complementary MOS) = 289
• 10. 半導體 素子의 特性
• 10-1 반도체 저항소자 = 295
• 10-2 pn 접합 다이오드 = 301
• 10-3 정전압 다이오드 = 301
• 10-4 가변용량 다이오드 = 303
• 10-5 단일접합 다이오드 = 305
• 10-6 사이리스터(Thyristor) = 308
• 11. 半導體의 光電 및 熱電 特性
• 11-1 광의 양자화-광자 = 323
• 11-2 광도전 효과 = 325
• 11-3 광도전 셀 = 328
• 11-4 광기전력효과 = 333
• 11-5 광 감지기 = 339
• 11-6 반도체의 발광현상 = 343
• 11-7 반도체의 열전현상 = 351
• 11-8 반도체의 열기전능 = 356
• 11-9 펠티어 계수, 톰슨 계수 = 358
• 11-10 열전기 발전 = 360
• 11-11 반도체의 자계특성 = 360
• 12. 集積回路工程
• 12-1 IC의 회로 구성법 = 367
• 12-2 IC 구조의 구성과 실제 = 369
• 12-3 Bipolar IC = 371
• 12-4 MOS 디지털 집적회로 = 372
• 12-5 집적회로(IC) 기억소자 = 374
• 12-6 모노리틱(monolithic) IC의 제조공정 = 378
• 12-7 반도체 재료의 정제와 단결정 제작 = 385
• 12-8 집적회로 공정기술 = 389
• 부록
• A : 기호목록(List of symbol) = 409
• B : 국제단위계(International of Units) = 411
• C : 10의 누승을 나타내는 접두어(Unit Prefixex) = 412
• D : 그리이스 문자(Greek Alphabet) = 412
• E : 물리정수(Physical Constants) = 413
• F : 단위확산(Conversion of Units) = 414
• G : 격자상수(Lattice Constants) = 415
• H : 주요반도체의 성질(Properties of Important Semiconductors) = 416
• I : Ge, Si, GaAs 성질(Properties of Ge, Si GaAs at 300°K) = 417
• J : SiO₂, Si₃N₄의 성질(300°K) (Properties of SiO₂Si₃N₄at 300°K) = 418
• K : 웨이퍼의 방향(Flat Orientation of Wafer) = 419
• L : NMOS, CMOS 및 TTL 공정순서 = 420
• M : 원소의 주기율표 = 430
• N : 1.5 μm CHIOS FET의 공정 흐름 예 = 431