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    Hg1-xCdxTe를 이용한 64×1 선형 적외선 감지 소자 제작 = Fabrication of 64×1 linear array infrared detector using Hg1-xCdxTe

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    https://www.riss.kr/link?id=A103745514

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    64×1 forcal plane infrared detector has been fabricated by using HgCdTe epi layer. HgCdTe was grown on GaAs substrate by using metal organic chemical vapor deposition. This paper describes key developments in the epi layer growth and device fabrication process. The performance of IR imaging system is summarized.
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    64×1 forcal plane infrared detector has been fabricated by using HgCdTe epi layer. HgCdTe was grown on GaAs substrate by using metal organic chemical vapor deposition. This paper describes key developments in the epi layer growth and device fabricati...

    64×1 forcal plane infrared detector has been fabricated by using HgCdTe epi layer. HgCdTe was grown on GaAs substrate by using metal organic chemical vapor deposition. This paper describes key developments in the epi layer growth and device fabrication process. The performance of IR imaging system is summarized.

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    참고문헌 (Reference)

    1 허옥명, 12 : S62-, 1999

    2 김병혁, 11 : S175-, 1998

    3 S-H Suh, "Metalorganic vapor phase epitaxial growth of hillock free (100) HgCdTe/GaAs with good electrical properties" 159 : 1132-1135, 1996

    4 G. N. Pain, "Low temperature MOCVD of Hg1−xCdxTe on 311, 511, 711 and shaped GaAs" 107 : 610-620, 1991

    5 Antoni Rogalski, "Heterostructure infrared photovoltaic detectors" 41 : 213-238, 2000

    6 J. Tunnicliffe, "A new MOVPE technique for the growth of highly uniform CMT" 68 : 245-253, 1984

    1 허옥명, 12 : S62-, 1999

    2 김병혁, 11 : S175-, 1998

    3 S-H Suh, "Metalorganic vapor phase epitaxial growth of hillock free (100) HgCdTe/GaAs with good electrical properties" 159 : 1132-1135, 1996

    4 G. N. Pain, "Low temperature MOCVD of Hg1−xCdxTe on 311, 511, 711 and shaped GaAs" 107 : 610-620, 1991

    5 Antoni Rogalski, "Heterostructure infrared photovoltaic detectors" 41 : 213-238, 2000

    6 J. Tunnicliffe, "A new MOVPE technique for the growth of highly uniform CMT" 68 : 245-253, 1984

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    2013-01-01 등재 등재 1차 FAIL (등재유지) KCI등재
    2010-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2008-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2005-01-01 등재 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
    2004-01-01 등재 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) KCI등재후보
    2002-07-01 등재 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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    기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
    2016 0.22 0.22 0.16
    KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
    0.15 0.13 0.319 0.07
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