정적 RAM 특성 요소에 의한 소프트 에러율의 해석 = Analysis of Accelerated Soft Error Rate for Characteristic Parameters on Static RAM

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

- This paper presents an ASER (Accelerated Soft Error Rate) integral model. The model is based on the facts that the generated EHP's(electron hole pairs) are diminished after some residual range of the incident alpha particle, where residual range is a function of the incident angle and the capping layer thickness over the semiconductor junction. The ASER is influenced by the flux of the alpha particles, the junction area ratio, the alpha particle incident angle when the critical charge is same as the collected charge, and the sizes of the alpha source and the chip.The model was examined with 8M static RAM samples. The measured ASER data showed good agreement with the calculated values using the model. The ASER decreased exponentially with respect to the operational voltage. As the capping layer thickness increases up to 16㎛, the ASER increases, and after that thickness, the ASER decreases. The ASER increased as the depth of BNW increased from 0㎛ to 4㎛. and then saturated. The ASER decreased as the node capacitance increased from 2fF to 5fF.

참고문헌 (Reference)

1 C. Lage, "1993.저 자 소 개김 도 우 1968년 11월 28일생. 1991년 충남대 물리학과 졸업. 1993년 동 대학원 전자공학과 졸업 선임연구원. 2004년 동 대학원 전자공학과 박사수료. 2004년-현재 한국폴리텍여자대학 디지털 디자인과 전임강사Tel：031-650-7244Fax：[phone]E-mail：[e-mail]공 명 국 1963년 11월 1일생. 1986년 서울대 전자공학과 졸업. 1988년 한국과학기술원 전기 및 전자공학과 졸업 . 1993년 동 대학원 및 전기 및 전자공학과 졸업 수석연구원. 2003년-현재 옵토웨이 연구소장Tel：042-931-9114Fax：[phone]E-mail：[e-mail]왕 진 석" 821-824, .1994년-2004년하이닉스.1993년-1995년삼미기술산업.1995년-2003년하이닉스