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      DC-8 GHz 대역 4 비트 스위치형 감쇄기 설계 = Design of DC–8 GHz Band 4-Bit Switched-Type Attenuator

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      https://www.riss.kr/link?id=A109215640

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      국문 초록 (Abstract)

      본 논문에서는 DC-8 GHz 대역에서 동작하는 4 비트 스위치형 감쇄기를 설계하였다. 감쇄기는 검증을 위해 28-nm bulk CMOS 공정을 이용하여 제작되었다. 설계된 감쇄기는 스위치 T/형 구조를 사용하였으며, 크기를 줄이기 위해 0.5 dB 비트는 간소화된 형 회로를 적용하였다. 또한, 입출력 매칭을 향상시키기 위해 0.5 dB 비트와 1 dB 비트 사이에 인덕터를 추가하였다. 주파수 대역인 DC-8 GHz에서 측정된 입출력 반사 손실은 11.45 dB 이상이며, 삽입 손실은 2.69 dB 이하이고, 측정된 RMS 이득 오차는 0.64 dB 이하이며, RMS 위상 오차는 1.42° 이하이다. RF 및 DC 패드를 제외한 감쇄기의실제 크기는 0.236×0.146 mm²이다.
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      본 논문에서는 DC-8 GHz 대역에서 동작하는 4 비트 스위치형 감쇄기를 설계하였다. 감쇄기는 검증을 위해 28-nm bulk CMOS 공정을 이용하여 제작되었다. 설계된 감쇄기는 스위치 T/형 구조를 사용...

      본 논문에서는 DC-8 GHz 대역에서 동작하는 4 비트 스위치형 감쇄기를 설계하였다. 감쇄기는 검증을 위해 28-nm bulk CMOS 공정을 이용하여 제작되었다. 설계된 감쇄기는 스위치 T/형 구조를 사용하였으며, 크기를 줄이기 위해 0.5 dB 비트는 간소화된 형 회로를 적용하였다. 또한, 입출력 매칭을 향상시키기 위해 0.5 dB 비트와 1 dB 비트 사이에 인덕터를 추가하였다. 주파수 대역인 DC-8 GHz에서 측정된 입출력 반사 손실은 11.45 dB 이상이며, 삽입 손실은 2.69 dB 이하이고, 측정된 RMS 이득 오차는 0.64 dB 이하이며, RMS 위상 오차는 1.42° 이하이다. RF 및 DC 패드를 제외한 감쇄기의실제 크기는 0.236×0.146 mm²이다.

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      This paper presents the design of a 4-bit switched attenuator operating in the frequency range of DC to 8 GHz band. The attenuator is fabricated using a 28-nm bulk CMOS process for verification. The designed attenuator employs switched T-type and π-type structures, with a simplified π-type circuit to reduce size for the 0.5 dB bit. Additionally, an inductor is added between the 0.5 dB bit and the 1 dB bit to improve input and output matching. Measured input and output return loss in the frequency band of DC to 8 GHz is greater than 11.45 dB, insertion loss is less than 2.69 dB, the measured RMS gain error is less than 0.64 dB, and the RMS phase error is less than 1.42°. The actual size of the attenuator, excluding the RF and DC pads, is 0.236×0.146 mm2 .
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      This paper presents the design of a 4-bit switched attenuator operating in the frequency range of DC to 8 GHz band. The attenuator is fabricated using a 28-nm bulk CMOS process for verification. The designed attenuator employs switched T-type and π-t...

      This paper presents the design of a 4-bit switched attenuator operating in the frequency range of DC to 8 GHz band. The attenuator is fabricated using a 28-nm bulk CMOS process for verification. The designed attenuator employs switched T-type and π-type structures, with a simplified π-type circuit to reduce size for the 0.5 dB bit. Additionally, an inductor is added between the 0.5 dB bit and the 1 dB bit to improve input and output matching. Measured input and output return loss in the frequency band of DC to 8 GHz is greater than 11.45 dB, insertion loss is less than 2.69 dB, the measured RMS gain error is less than 0.64 dB, and the RMS phase error is less than 1.42°. The actual size of the attenuator, excluding the RF and DC pads, is 0.236×0.146 mm2 .

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